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材料研究学报  2004, Vol. 18 Issue (5): 537-541    
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浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性
严勇健;吴雪梅;诸葛兰剑
苏州大学
Framework and photoluminescence property of porous silicon after dipped in solution
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苏州大学
引用本文:

严勇健; 吴雪梅; 诸葛兰剑 . 浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性[J]. 材料研究学报, 2004, 18(5): 537-541.

全文: PDF(1403 KB)  
摘要: 用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品, 在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离, 在样品表面形成了丰富的SiO$_{2}$包裹纳米硅颗粒结构, 研究了样品的光致发光(PL)特性. 结果表明, 与剥离前相比, 表层多孔层剥离后PL谱的强度约有10倍的增幅, 峰位主要在蓝紫光范围内. 在300℃干氧中退火后, 样品的发光强度下降为退火前的三分之一, 随着退火温度的升高, 发光强度有所增强. 退火前后有不同的发光机理, 退火前光激发主要在纳米硅内, 然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合; 退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.
关键词 无机非金属材料多孔层光致发光纳米硅颗    
Abstract:The rich oxided Si nanocrystallites were formed on the surface of the traditional electrochemically--produced samples after being peeled off the surface porous film in the marinade. Photoluminescence (PL) was used to characterize the samples. Ultraviolet--blue PL intensity is about 10 times as much as that of the samples before being peeled off the porous film. The PL intensity is one third of the original intensity after annealed in O$_{2}$ at 300℃, and then becomes stronger along with the increase of the annealing temperature. There are different luminescence mechanisms of the samples before and after annealing, carriers are excited mostly in the Si nanocrystallites and radiative recombined in the SiO$_{2}$ layers before annealing; and carries are excited and radiative recombined both in the SiO$_{2}$ layers after annealing.
Key wordsinorganic non-metallic materials    porous film    photoluminescence    Si nanocrystallites    luminescence cent
收稿日期: 2004-11-05     
ZTFLH:  TB321  
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