反应溅射TiO2-xNx膜可见光吸收性能

材料研究学报

2004, Vol. 18

Issue (1): 108-108

论文

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反应溅射TiO2-xNx膜可见光吸收性能

赵明;方玲;张弓;庄大明

清华大学机械工程系

Absorption property in visible region of TiO2-xNx films prepared by reactive sputtering

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清华大学机械工程系

引用本文:

赵明; 方玲; 张弓; 庄大明 . 反应溅射TiO2-xNx膜可见光吸收性能[J]. 材料研究学报, 2004, 18(1): 108-108.
, , , . Absorption property in visible region of TiO2-xNx films prepared by reactive sputtering[J]. Chin J Mater Res, 2004, 18(1): 108-108.

全文: PDF(1141 KB)

摘要: 利用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜。利用光电子能谱(XPS)对薄膜的成分进行了分析，并主要研究了薄膜的可见光吸收性能。结果表明：反应气体中N2百分率是影响薄膜中Ti－N键的主要因素；在N2气氛中380℃下退火有利于提高N掺杂的含量；厚度的增加使得薄膜的吸收性能在紫外到可见光区都有提高；含N为1.5%的TiO2－xNx薄膜吸收限由TiO2薄膜的387nm红移至441nm。关键词 TiO2薄膜、N搀杂、中频交流反应磁控溅射、可见光吸收

关键词 ：无机非金属材料, TiO2薄膜, N掺杂

Abstract：N-doped TiO2 films were prepared by mid-frequency alternative reactive magnetron sputtering. The N concentration of the TiO2－xNx films was analyzed by XPS. And the absorption properties of the films in visible region were closely investigated. The results show that the percentage of N2 in reactive gases is key variable to influence the concentration of Ti-N bond in TiO2－xNx films. Annealing TiO2－xNx film in nitrogen atmosphere at 380℃ is favorable to increase its atomic concentration of nitrogen. The increase of the thickness of TiO2－xNx films enhances the absorbability of TiO2－xNx films. The wavelength of the absorption edge for TiO2－xNx film with 1.5% nitrogen has a obvious redshift from 387nm to 441nm.

Key words： inorganic non-metallic materials TiO2 films nitrogen-doping

收稿日期: 2004-04-02

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