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材料研究学报  2003, Vol. 17 Issue (3): 333-336    
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五氧化二钽薄膜的I-V特性
王超; 庄大明;张弓;吴敏生
清华大学
引用本文:

王超; 庄大明; 张弓; 吴敏生 . 五氧化二钽薄膜的I-V特性[J]. 材料研究学报, 2003, 17(3): 333-336.

全文: PDF(513 KB)  
摘要: 采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜。利用Ta/Ta2O5/Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能,研究了上电极面积对I-V特性的影响、I-V曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响。结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小。氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低。当上电极直径为1mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10-8 A/cm2。
关键词 无机非金属材料氧化钽薄膜磁控溅射    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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