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材料研究学报  2014, Vol. 28 Issue (7): 549-554    DOI: 10.11901/1005.3093.2014.142
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退火温度和时间对用电沉积法制备的高硅钢性能的影响*
李慧,梁精龙,李运刚(),张芬萍
河北联合大学冶金与能源学院现代冶金技术教育部重点实验室 唐山 063009
Effect of Annealing Conditions on Microstructure of High Silicon Steel Prepared by Electrodeposition
Hui LI,Jinglong LIANG,Yungang LI(),Fenping ZHANG
Key Laboratory of Ministry of Education for Modern Metallurgy Technology, College of Metallurgy and Energy, Hebei United University, Tangshan 063009
引用本文:

李慧,梁精龙,李运刚,张芬萍. 退火温度和时间对用电沉积法制备的高硅钢性能的影响*[J]. 材料研究学报, 2014, 28(7): 549-554.
Hui LI, Jinglong LIANG, Yungang LI, Fenping ZHANG. Effect of Annealing Conditions on Microstructure of High Silicon Steel Prepared by Electrodeposition[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2014, 28(7): 549-554.

全文: PDF(2723 KB)   HTML
摘要: 

研究了退火温度和退火时间对电沉积硅钢试样中的断面层组织、硅在试样中的分布情况、织构分布和磁性能的影响。结果表明: 退火温度为1000℃、退火时间为210 min时得到的试样晶粒分布均匀、硅在试样中分布均匀、硅平均浓度为6.3715%(接近6.5%)。试样的织构分析及磁性能检测的结果表明, 在较高温度下延长退火时间可增加{100}和{110}面织构, 降低铁损, 所得试样的磁性能较为良好。
关键词 ： 金属材料,  高硅钢,  显微组织,  Goss织构,  磁性能    
Abstract：

The effect of annealing temperature and time on the microstructure, distribution of silicon, texture and magnetism of the high silicon steel prepared by electrodeposition was investigated. The results showed that after annealing at 1000℃ for 210 min, the mean grain size of steel was about 190 μm with a uniform grain size distribution, and the silicon is also uniformly distributed on the entire cross section with an average Si concentration 6.3715% (close to 6.5%); With the increasing annealing time at high temperature, the texture with double crystal planes {100} and {110} preferential oriented microstructure was enhanced, and the iron loss was lowered, implying a relatively good magnetism for the high silicon steel prepared by the proposed process.
Key words： metallic materials    high silicon steel    microstructure    Goss texture    magnetism
收稿日期: 2014-03-26     
基金资助:* 国家自然科学基金51274082资助项目。
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李慧
梁精龙
李运刚
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链接本文:

https://www.cjmr.org/CN/10.11901/1005.3093.2014.142      或      https://www.cjmr.org/CN/Y2014/V28/I7/549

Element Si Cr Mn P S C O
1.6039 0.104051 0.721005 0.025782 0.002159 0.00231 0.06563
表1  基体试样的主要化学成分
Sample Temperature/℃ Holding time /min Average grain size/μm Average grain size grade
No.1 900 60 75.380 4.2
No.2 950 60 140.565 2.4
No.3 1000 60 184.838 1.6
No.4 1050 60 256.886 0.5
No.5 1000 90 187.421 1.5
No.6 1000 150 187.665 1.5
No.7 1000 180 188.376 1.5
No.8 1000 210 188.840 1.5
表2  电沉积后样品的退火工艺参数
图1  不同条件退火后试样的OM像
图2  不同退火条件试样中Si的浓度分布
图3  基体试样的取向分布函数等φ2=45°截面图
图4  退火所得试样的取向分布函数等φ2=45°截面图
Sample Temperature/℃ Time/min Average content of silicon/% Density ρ/kgdm-3 Magnetic strength B50/T Iron loss P1.5/50/Wkg-1
No.1 900 60 2.64 7.65 1.665 4.970
No.2 950 60 2.72 7.65 1.706 4.721
No.3 1000 60 3.20 7.63 1.687 4.57
No.4 1050 60 4.12 7.60 1.666 4.343
No.5 1000 90 4.50 7.55 1.683 3.447
No.6 1000 150 5.64 7.50 1.706 1.874
No.7 1000 180 5.32 7.50 1.708 1.884
No.8 1000 210 6.37 7.48 1.706 1.843
表3  不同退火制度下退火后所得试样的磁性能
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