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材料研究学报  2005, Vol. 19 Issue (1): 102-106    
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退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响
姜胜林;林汝湛;曾亦可;刘梅冬
华中科技大学
Effect of annealing temperature on the electrical properties of low voltage ZnO-based ceramic film
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华中科技大学
引用本文:

姜胜林; 林汝湛; 曾亦可; 刘梅冬 . 退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响[J]. 材料研究学报, 2005, 19(1): 102-106.
, , , . Effect of annealing temperature on the electrical properties of low voltage ZnO-based ceramic film[J]. Chin J Mater Res, 2005, 19(1): 102-106.

全文: PDF(659 KB)  
摘要: 应用新型溶胶--凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜, 研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响. 结果表明, 采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn$_{7}$Sb$_{2}$O$_{12}$及ZnCr$_{2}$O$_{4}$相, 且在退火温度范围内(550$\sim$950℃)基本上没有焦绿石相形成. 当退火温度达到750℃以后, Sb$_{2}$O$_{3}$已全部转变为稳定性好的尖晶石相, 同时存在Bi$_{2}$O$_{3}$、 ZnO的挥发. 采用适当的退火温度, 可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻, 其压敏电压低于5 V, 非线性系数可达20, 漏电流密度小于0.5 $\mu$A/mm$^{2}$.
关键词 无机非金属材料新型溶胶-凝胶法退火温度    
Abstract:The effect of annealing temperature on the electrical properties of low voltage ZnO--based ceramic film was investigated. The results show that Zn$_{7}$Sb$_{2}$O$_{12}$ and ZnCr$_{2}$O$_{4}$ phases can be formed at a lower annealing temperature (550℃) by the solution doping, and the pyrochlore phase is not detected by XRD from 550℃ to 950℃. Sb$_{2}$O$_{3}$ can be changed to spinel phase completely, and Bi$_{2}$O$_{3}$, ZnO may be vaporized when the annealing temperature reaches 750℃. The ZnO--based ceramic films with nonlinearity coefficient 20, ~nonlinear ~voltage ~5 V ~and ~the ~leakage ~current ~density 0.5 $\mu$A/mm$^{2}$ can be obtained by the proper annealing temperature.
Key wordsinorganic non-metallic materials    a novel sol-gel process    annealing temperature    ZnO-based ceramic fil
收稿日期: 2005-03-17     
ZTFLH:  TM283  
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