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材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (1): 42-46    
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稀土氧化物掺杂对SnO2基气体传感器材料性能的影响
李来风(1;2); 潘晓晴(2)
1.中国科学院低温技术实验中心; 2.美国密西根大学
引用本文:

蓝慕杰; 叶水驰; 鲍海飞; 周士仁; 姚枚 . 稀土氧化物掺杂对SnO2基气体传感器材料性能的影响[J]. 材料研究学报, 2000, 14(1): 42-46.

全文: PDF(477 KB)  
摘要: 采用化学共沉淀法制备Y$_{2}$O$_{3}$, ZrO$_{2}$, Er$_{2}$O$_{3}$和Sb$_{2}$O$_{3}$掺杂SnO$_{2}$基气体传感器. 结果表明掺杂后的材料经煅烧后, 平均晶粒尺寸均小于30nm, 比未经掺杂的材料小. 将各掺杂体系不同成分材料制备成厚膜传感器, 进行了对CO气体敏感度性能测试, 发现掺杂稀土氧化物的气体敏感度较纯SnO$_{2}$厚膜传感器高. 其中掺杂Er$_{2}$O$_{3}$材料性能最好.
关键词 稀土氧化物纳米传感器    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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