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材料研究学报  2006, Vol. 20 Issue (2): 120-124    
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退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响
罗浩俊 ;胡成余 ;姚淑德 ;秦志新
北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心; 北京大学物理学院;北京100871
Large\bf Effects of annealing on the properties of the Mg--ion
LUO Haojun;HU Chengyu;YAO Shude;QIN Zhixin
State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics
引用本文:

罗浩俊; 胡成余; 姚淑德; 秦志新 . 退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响[J]. 材料研究学报, 2006, 20(2): 120-124.
, , , . Large\bf Effects of annealing on the properties of the Mg--ion[J]. Chin J Mater Res, 2006, 20(2): 120-124.

全文: PDF(713 KB)  
摘要: 在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰, 其强度随着退火温度而变化. 这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的 振动模式和局域振动模式. 消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的. 注入剂量1$\times$10$^{14}$cm$^{-2}$是一个临界值, 对于注入剂量高于这个临界值的样品, 高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词 无机非金属材料p--GaN离子注入    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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