GaN}基紫光 LED的可靠性研究

材料研究学报

2006, Vol. 20

Issue (2): 153-155

论文

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GaN}基紫光 LED的可靠性研究

商树萍 ; 于彤军 ; 陈志忠 ; 张国义

北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心; 北京大学物理学院~~北京 100871

引用本文:

商树萍 ; 于彤军; 陈志忠; 张国义 . GaN}基紫光 LED的可靠性研究[J]. 材料研究学报, 2006, 20(2): 153-155.

全文: PDF(526 KB)

摘要: 测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化, 研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢; 与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明, 在 LED的工作过程中, 缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低, LED光功率下降.

关键词 ：无机非金属材料, GaN, 紫光LED, 可靠性

Key words：

收稿日期: 1900-01-01

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