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材料研究学报  1993, Vol. 7 Issue (3): 219-224    
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半导体陶瓷致冷材料的性能与结构
崔万秋;程皓;龚定农;张斗
武汉工业大学;武汉工业大学;武汉工业大学;武汉工业大学
STRUCTURE AND PROPERTIES OF SEMICODUCTOR CERAMIC COOLING MATERIALS
CUI Wanqiu CHENG Hao GONG Dingnong ZHANG Dou (Wuhan University of Technology)
引用本文:

崔万秋;程皓;龚定农;张斗. 半导体陶瓷致冷材料的性能与结构[J]. 材料研究学报, 1993, 7(3): 219-224.
, , , . STRUCTURE AND PROPERTIES OF SEMICODUCTOR CERAMIC COOLING MATERIALS[J]. Chin J Mater Res, 1993, 7(3): 219-224.

全文: PDF(736 KB)  
摘要: 采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10~(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω~(-1)·cm~(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10~(-3)/K
关键词 温差电半导体致冷陶瓷    
Abstract:Thermoelectric polycrystal ceramic materials were prepared by a new ceramictechnology.The specimens were sintered by solid reaction in a sealed evacuated quartz tube.The new ceramic cooling materials have a inhomogeneous structure, but higher mechanicalst
Key wordsthermoelectricity    semiconductor refrigeration    ceramic
收稿日期: 1993-06-25     
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