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材料研究学报  2008, Vol. 22 Issue (6): 577-579    
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金属钨纳米线阵列的制备
高程;贺跃辉;王世良
中南大学粉末冶金国家重点实验室   长沙 410083
Synthesizing metallic tungsten nanowires array
 GAO Cheng; HE Yuehui; WANG Shiliang
State Key Laboratory Powder Metallurgy; Central South University; Changsha 410083
引用本文:

高程 贺跃辉 王世良. 金属钨纳米线阵列的制备[J]. 材料研究学报, 2008, 22(6): 577-579.
, , . Synthesizing metallic tungsten nanowires array[J]. Chin J Mater Res, 2008, 22(6): 577-579.

全文: PDF(756 KB)  
摘要: 

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列, 用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X--ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明: 在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构, 直径约为150 nm, 长度为10--30 μm.

关键词 金属材料 金属钨 单晶 纳米线 阵列    
Abstract

Metallic tungsten array can be successfully synthesized on the silicon substrate by vapor method at low temperature (900 °C). SEM、TEM and XRD analysis results of tungsten nanowires synthesized under 900 °C show: the synthesized nanowires have diameters of 150 nm, and lengths of 10- 30 μm. the nanowires show well-defined bcc single-crystalline structure with growth direction along <111>.

Key wordsmetallic materials    metallic tungsten    single-crystal    nanowire    array
收稿日期: 2008-03-04     
ZTFLH: 

TG115

 
基金资助:

国家自然科学基金(50374082)

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