材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (6): 604-609

研究论文 本期目录 | 过刊浏览 |

碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测

万永中;张剑云;刘志杰;张卫;王季陶

复旦大学;复旦大学;复旦大学;复旦大学;复旦大学

PREDICTION OF GROWTH CONDITIONS FOR DIAMOND FILM IN CARBON-HYDROGEN-CHLORINE SYSTEM

WAN Yongzhong;ZHANG Jianyun;LIU Zhijie;ZHANG Wei;WANG Jitao(Department of Electronic Engineering; sedan University; Shanghai 200433)

万永中;张剑云;刘志杰;张卫;王季陶. 碳—氢—氯体系金刚石薄膜生长条件预测[J]. 材料研究学报, 1998, 12(6): 604-609.
, , , , . PREDICTION OF GROWTH CONDITIONS FOR DIAMOND FILM IN CARBON-HYDROGEN-CHLORINE SYSTEM[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(6): 604-609.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(488 KB)   摘要: 首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据. 关键词 ： 金刚石,  薄膜,  热力学,  卤素     Abstract：Ternary phase diagrams for diamond film synthesis in carbon-hydrogen-chlorine (C-H-Cl) system are first calculated. The change trend of diamond growth region with substrate temperature and chlorine addition is studied. Our theoretical calculations agree w Key words： diamond    film    thermodynamics    halogen 收稿日期: 1998-12-25      基金资助:国家自然科学基金!59772029;;863计划新材料领域资助 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 万永中 张剑云 刘志杰 张卫 王季陶 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I6/604 1 J.J.Wu, S.H.Yeh, C.T.Su, F.C.NHong, Appl.Phys.Lett., 68(23). 3254(1996) 2 F.C-N Hong, G.T.Liang, J.J.Wu, D.Chang, J.C.Hsieh, Appl.Phys.Lett., 63(23). 3149(1993) 3 C.PaU, C.J.Chu, J.L.Margrave, R.H.Hauge, J.Elwtrochem.Soc., 41(11), 3246(1994) 4 B.J-Bai, C.J.Chu, D.E.Patterson, R.H.Hauge, J.L.Margrave, J.Mater.the., 8(2)' 233(1993) 5 M,Frenklach, R.Kematwh, D.Huang, W.Howard, K.E.Spear, J.Appl.Phys., 66(1), 395(1989) 6 J.T.Wan, J.o.Carlsson, Surfase and Coating Technology 43/44, 1(1990) 7 J.T.Wan, PJ.Zheng, Q.H.Yang, H.Wang, in: Diamond Materiais, PV95-4, edited by K.V.Ravi,J.PDismkes, (The Electrocheforcal Society, Inc., Pennington, NJ, 1995) p.13 8 J.T.Wang, Z.Q.Huang, Q.H.Yang, D.W.Zliang, Y.Z.Wan, in: Prm. of 13th International Conf on CVD,PV96-8, edited by T.M.Besmann, M.D.Allendorf McD.Robinson, R.K.Ulrich, (Tbe Electrochem. Soc.,Inc., Penningtn, NJ, 1996) p.728 9 Y.Z.Wan, D.W.Zhang, Z.J.Liu, J.T.Wang, Appl.Phy8.A, 67, 225(1998) 10 J.C.Angus, C.C.HayInan, Science, 241, 913(1988) [1] 徐阳, 李彦睿, 刘宝胜, 刘雯, 张少华, 卫英慧. 无取向硅钢中第二相的析出行为[J]. 材料研究学报, 2023, 37(1): 47-54. [2] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [3] 朱海勇, 张伟. 锰掺杂和氧化铌种子层对铌酸钾钠薄膜电性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(12): 945-950. [4] 崔丽, 孙丽丽, 郭鹏, 马鑫, 王舒远, 汪爱英. 沉积时间对聚醚醚酮表面类金刚石薄膜的结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(11): 801-810. [5] 李修贤, 邱万奇, 焦东玲, 钟喜春, 刘仲武. α籽晶促进低温反应溅射沉积α-Al2O3薄膜[J]. 材料研究学报, 2022, 36(1): 8-12. [6] 孙丽颖, 钱建华, 赵永芳. AgNWs-TPU/PVDF柔性薄膜电容传感器的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(6): 441-448. [7] 孙茂林, 宫震, 王施文, 尹航, 李瑞武, 张政, 李雨彤, 吴法宇. 氧控In2O3薄膜的光电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(5): 394-400. [8] 张泽灵, 王世琦, 徐邦利, 赵昱皓, 张旭海, 方峰. FeCoNiMoCr高熵合金薄膜电极的电催化析氧性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(3): 193-200. [9] 熊文文, 何嵩, 郑淞生, 程其进, 沈宏勋, 陈朝. 用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 154-160. [10] 宋贵宏, 李秀宇, 李贵鹏, 杜昊, 胡方. 溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(11): 835-842. [11] 谢明玲, 张广安, 史鑫, 谭稀, 高晓平, 宋玉哲. Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 59-64. [12] 张大磊, 魏恩泽, 荆赫, 杨留洋, 豆肖辉, 李同跃. 超级铁素体不锈钢表面超疏水结构的制备及其耐腐蚀性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 7-16. [13] 刘芝君, 李之锋, 王春香, 谢光明, 黄庆研, 钟盛文. 四氧化三钴/碳纳米管薄膜的水热合成及其储锂性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 584-590. [14] 李贵鹏, 宋贵宏, 胡方, 杜昊, 尹荔松. 溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 561-568. [15] 王世琦,霍文燚,徐正超,张旭海,周雪峰,方峰. 钴掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及其光催化还原性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(3): 176-182. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed