材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (6): 610-614

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退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响

杜新华;刘振祥;谢侃;王燕斌;褚武扬

北京科技大学;中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室;中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室;北京科技大学;北京科技大学

EFFECT OF ANNEALLING ON STRUCTURE AND ELECTRONIC COMPOSITION OF OXYGEN SENSITIVE CeO_(2-x) FILMS

DU Xinhua; LIU Zhedriang;XIE Kan;WANG Yanbin;CHU Wuyang(University of Science and Technology; Beijing 100083)( Institute of Physics; The Chinese Academy of Sciences; Beijing 100080)

杜新华;刘振祥;谢侃;王燕斌;褚武扬. 退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响[J]. 材料研究学报, 1998, 12(6): 610-614.
, , , , . EFFECT OF ANNEALLING ON STRUCTURE AND ELECTRONIC COMPOSITION OF OXYGEN SENSITIVE CeO_(2-x) FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(6): 610-614.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(1183 KB)   摘要: 用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+. 关键词 ： 二氧化铈,  薄膜,  晶体结构,  退火     Abstract：The CeO2-x films are deposited from a sintered CeO2-x ceramic target by reactive high frequency sputtering magnetron system. Influence of annealling process on the composition and Structure of CeO2-x films were determined by XRD, AFM and XPS. The results Key words： ceria    thin film    structure    annealling 收稿日期: 1998-12-25      基金资助:福特-中国发展研究基金!09415106 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 杜新华 刘振祥 谢侃 王燕斌 褚武扬 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I6/610 1F.Millot, P.De、MierrylJ PhyB Chem Solids. 46, 797(1985) 2M.Romeo,K.Bak,J.El.Fallah,F.Le.Normand,L Hilaire,Surf and interface anal.20,508(1993) 3P.Burroughs, A.Hammertl, Chem Soc Dation Thans. 1686(1976) 4A.PauflK.D.Schierbaum, Surf Set. 321, 71(1994) 5T.L.Bars,J Phys Chem. 82, 1801(1978) 6C.A.Strydom, H.J.Strydom, Inorg Chem Acta. 161, 7(1989) 7C.Hardacre, G.M.Roe, R.M.Lambert, Surf Sci. 326, 1(1995) 8E.Paparazzo。 Surf Sci Lett. 234, L253(1990) [1] 王伟, 周山琦, 宫鹏辉, 张浩泽, 史亚鸣, 王快社. 退火温度对TC4钛合金热轧板材的显微组织、织构和力学性能影响[J]. 材料研究学报, 2023, 37(1): 70-80. [2] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [3] 朱海勇, 张伟. 锰掺杂和氧化铌种子层对铌酸钾钠薄膜电性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(12): 945-950. [4] 崔丽, 孙丽丽, 郭鹏, 马鑫, 王舒远, 汪爱英. 沉积时间对聚醚醚酮表面类金刚石薄膜的结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(11): 801-810. [5] 李修贤, 邱万奇, 焦东玲, 钟喜春, 刘仲武. α籽晶促进低温反应溅射沉积α-Al2O3薄膜[J]. 材料研究学报, 2022, 36(1): 8-12. [6] 孙丽颖, 钱建华, 赵永芳. AgNWs-TPU/PVDF柔性薄膜电容传感器的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(6): 441-448. [7] 孙茂林, 宫震, 王施文, 尹航, 李瑞武, 张政, 李雨彤, 吴法宇. 氧控In2O3薄膜的光电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(5): 394-400. [8] 张泽灵, 王世琦, 徐邦利, 赵昱皓, 张旭海, 方峰. FeCoNiMoCr高熵合金薄膜电极的电催化析氧性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(3): 193-200. [9] 熊文文, 何嵩, 郑淞生, 程其进, 沈宏勋, 陈朝. 用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 154-160. [10] 宋贵宏, 李秀宇, 李贵鹏, 杜昊, 胡方. 溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(11): 835-842. [11] 谢明玲, 张广安, 史鑫, 谭稀, 高晓平, 宋玉哲. Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 59-64. [12] 张大磊, 魏恩泽, 荆赫, 杨留洋, 豆肖辉, 李同跃. 超级铁素体不锈钢表面超疏水结构的制备及其耐腐蚀性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 7-16. [13] 刘芝君, 李之锋, 王春香, 谢光明, 黄庆研, 钟盛文. 四氧化三钴/碳纳米管薄膜的水热合成及其储锂性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 584-590. [14] 李贵鹏, 宋贵宏, 胡方, 杜昊, 尹荔松. 溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 561-568. [15] 史佳庆, 薛飞, 彭群家, 沈耀. Fe-Cr-Ni系不锈钢在热老化和退火过程中铁素体调幅分解的相场法研究[J]. 材料研究学报, 2020, 34(5): 328-336. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed