制备了晶态分子导体M(C3S3)2,Pd(C3S3)2;Pt(C3S3)和无定形分子导体Cu(C3S3)2,测定了它们的电阻-温度曲线,磁化率-温度曲线.结合EHMO理论计算与波谱分析,得出导电组元的分子轨道形式.计算TNi(C3S5)2晶体的能带,在此基础上阐明Ni(C3S5)2的导电机理和半导体→导体相变的机理讨论了[M(C3S3)2]2-与[M(C3S3)2]-,[M(C3S3)2]0,以及[M(C3S3)]2]2-与[M(C3S3)2]0之间的电荷转移

已有许多有效的方法用来提高CVD金刚石薄膜的成核密度,但成核机理仍有很多问题本文简要介绍作者在这方面的一些工作

基于Halpin—Tsai方程,引入短纤维平均长度和取向因子fp考虑尼龙短纤维/氯丁橡胶、天然橡胶复合材料中短纤维的长度分布和纤维取向对纵向杨氏模量的影响.提出直接用fp修正ζ来考虑取向影响的新方法:ζθ(fp=Ld-1(fp+1).结果表明,纵向模量的理论预测值和实验值的相关性较好.对横向模量,用ζ=2+Kvf,(K为决定于体系的常数)考虑取向的影响预测也较成功

用XRD、DTA、SEM、TEM和三点弯曲试验研究了溶胶一凝胶法合成的BAS(BaO·Al2O3·2SiO2)凝胶玻璃的结晶行为、晶型转变和热压BAS的显微结构与性能、结果表明,BAS凝胶玻璃在>1000℃时开始析晶,1100℃时完全晶化,结晶相为六方钡长石.不加成核剂,呈现整体结晶特性,晶粒小于1μm.加入50mg·g-1单斜钡长石作为晶种,可促进六方→单斜晶型转变.在1250℃处理7h,约有800mL·L-1六方钡长石转变为单斜钡长石.当存在莫来石时,材料的高温强度较高,其最大值出现在1200～1250℃复相BAS玻璃陶瓷的156MPa,204MPa和α=4.8×10-6/℃

用组合双晶体(CB)及实际双晶体(RB)研究了平行晶界在用双晶体循环变形过程中的强化作用结果表明随双晶体变小,其循环应力升高,晶界作用增强.扫描电镜观察发现晶界附近出现以次滑移为主的晶界影响区结合双晶体的循环应力-应交响应和晶界影响区,讨论了双晶体的晶界强化机制.

用双辊熔体旋转法制得的Al-12.45Si合金薄带具有亚共晶组织,Si相以粒状形态均匀分布于α—Al相基体.在成带及随后的冷却过程中,过饱和固溶于α—Al相中的Si已有部分析出.用XRD内标定量法确定在薄带激冷边和中心部位的α-Al相中Si的溶解度为13.5mg·g-1和7.1mg·g-1.

以(80%石英砂+20%石英玻璃粉)+3%H3BO3(均为质量分数,下同)为坩埚涂层材料,烧结后获得厚3mm的表面光洁、无裂纹玻璃态涂层在该涂层中熔炼Cu—39Ni—6Fe和Ni—30Cu—5Fe合金,分别获得了190K和210K的大过冷度,超过了晶粒骤然细化的临界过冷度ΔT2.以硅溶胶为粘结剂,石英玻璃粉为面涂层的铸型,浇铸后进行一次过热,使Ni—30Cu—5Fe合金获得了100K过冷度,超过了该合金负温度梯度下实现定向凝固的临界过冷度ΔT1。

首次计算了碳—氢—氯体系中生长金刚石薄膜的相图,研究了该体系中金刚石生长区随衬底温度及氯含量变化的趋势,与实验结果符合较好计算结果表明,C—H—Cl系相图中金刚石生长区被限制在两个小三角形(CH4—H—HCl和CCh—HCl—Cl)中变化.可能生长金刚石薄膜的碳氢纪组分被严格地限制在金刚石生长区内,并随生长温度和压力等条件而变化.当气相中氯含量与氢的含量相近时,金刚石生长区趋于消失金刚石生长区为实验提供了选择和优化碳氢级组分、生长温度及压力的理论依据.

用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+.

加入促进剂三氯化硼-乙基胺使双酚A缩水甘油醚型环氧树脂(E51)/聚R(PSF)/二氨基二苯基砜(DDS)共混体系迅速达到凝胶点,使相分离早期固定,易于获得平均粒径较小的共混物相结构.促进剂使固化反应速度提高与降低温度使相分离速度降低对共混物相结构的影响具有一致性

将一种作为光散射体的聚合物均匀分布于另一种透明聚合物基质材料中,两者之间形成的微相分离产生过量的光散射,从而制备出具有光散射导光特性的光学材料.考察了光散射体的分子量、含量及两种聚合物之间的相容性对导光材料光散射能力的影响.

用热压方法制作了模型氧化铝单纤维复合材料使用激光荧光光谱研究材料拉伸状态下纤维和基体间界面的应力传递行为.

用分散聚合方法制备单分散聚苯乙烯微球。用扫描电镜测定了微球粒径大小和分布随着介质溶解度的增大,微球的粒径先增大而后减小,引发剂浓度的提高导致微球粒径的增大和粒径分散系数的变大

以醋酸钾、钛酸四丁酯和磷酸三丁酯为原料,用溶胶凝胶法合成了KTiOPO4(KTP)纳米晶粉末.非晶态凝胶在600℃以上于空气中直接晶化成KTP纳米晶。用TEM、XRD观察和研究纳米晶的形貌及微结构,KTP晶粒平均尺寸分布为25～70nm.

研究了热电材料PbTe在高温(700～900K)、氧分压为0.01～100kPa时的氧化行为发现氧化物均为Pb—D—O的三元化合物且随温度及氧分压的变化有规律地分布在高温低氧分压条件下,试样质量减少,生成Pb3TeO5或者Pb5TeO7;而在低温高氧分压条件下,试样质量增加,生成PbTeO3或者PbTeO3/Pb2TeO4.

本文研究了烧结NdFeB磁体的晶粒取向对矫顽力的影响和矫顽力的角度关系结果表明:晶粒的混乱取向使矫顽力上升而不是下降,矫顽力的发动场理论比成核机制和钉扎机制与实验结果符合更好

采用活性氢等离子蒸发法制备出纳米Al粉体,然后将粉体冷压成块体经适当热处理的纳米Al块体试样的屈服强度σ0.2是普通粗晶Al的12～16倍,断裂强度σb是粗晶Al的5～6倍,断裂延伸率达4%,为典型的韧窝塑性断口.讨论了纳米晶Al的断裂机制

将用蒸发法制备的纳米Al粉体冷压成直径25×2mm的块材经620℃/40min热处理后,进行变形量为55%的冷轧形变处理线切割成标距为10mm的拉伸试样.冷轧后样品的相对密度为99%,平均晶粒尺寸约为53nm.拉伸实验结果表明:冷变形致密化的纳米晶Al的屈服强度σ0.2和断裂强度σb分别是同质粗晶Al的12～16倍和5～6倍:延伸率δ比同质冷轧粗晶Al提高大约28%,比未经冷变形的纳米晶Al提高近一倍研究了冷变形对纳水晶Al拉伸性能的影响

采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜电子探针和Auger电子能谱分析证实了在薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析,导致缺陷能级上的陷阱电荷。在退极化场的作用下,陷阱电荷可聚集在畴壁钉扎电畴,造成电滞回线和C—V曲线异常

通过共缩聚合成了几种新型的,压阻系数很高的聚省配自由基高聚物(PAQR).实验发现:在直流电导率对数与外界压力(0.01～1.0GPa)平方根的线形关系上有一个转折点(约0.11GPa);Mott—T-1/4规律的适用范围可延伸至高温区(298～486K);直流电导率和自旋浓度,g因子和峰—峰线宽之间与共编聚时引入的六氟二酐的物质的量比存在类似的变化趋势,在不同温度下介电系数的对数与压力平方根的线性关系图形并不完全服从Pohl的理论预示.

运用XRD、EPMA、TEM等手段分析在Ti—6Al—4V基材上用激光化学气相反应生长的Ti(C,N)薄膜的成分、结构、显微组织可在基材表面形成大面积均匀的Ti(C,N)膜层,为无明显择优取向的等轴纳米晶,其中有少量的Ti2N相,且Al、V含量低于基材。