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材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (4): 363-368    
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热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响
宋志棠;任巍;吴小清;张良莹;姚熹
西安交通大学;西安交通大学;西安交通大学;西安交通大学;西安交通大学
EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURES ON PHASES AND MICROSTRUCTURES OF Pt AND Pt / Ti BOTTOM ELECTRODES FOR FERROELECTRIC THIN FILMS
SONG Zhitang; REN Wei; WU Xiaoqing; ZHANG Liangying; YAO Xi (Xi'an Jiaotong University)
引用本文:

宋志棠;任巍;吴小清;张良莹;姚熹. 热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响[J]. 材料研究学报, 1997, 11(4): 363-368.
, , , , . EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURES ON PHASES AND MICROSTRUCTURES OF Pt AND Pt / Ti BOTTOM ELECTRODES FOR FERROELECTRIC THIN FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(4): 363-368.

全文: PDF(1708 KB)  
摘要: 随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层可提高Pt薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定化快速热处理可提高Pt薄膜在高温下的连续性.并研究了Pt薄膜对PLT铁电薄膜的成品率和分散性的影响.
关键词 Pt薄膜铁电薄膜直流溅射缺陷电极    
Abstract:Pt and Pt / Ti electrodes were dc-sputtered on Sio2 / Si substrates. As deposited samples were thermal treated at various temperatures by the common thermal annealing (CTA) process and the rapid thermal annealing (RTA) process respectively. Phase identifi
Key wordsPt thin films ferroelectric thin films dc-sputtering defects electrodes
收稿日期: 1997-08-25     
基金资助:国家863高技术项目!863715050103
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