TiN薄膜的循环制备和电学性质

材料研究学报

2006, Vol. 20

Issue (2): 213-216

论文

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TiN薄膜的循环制备和电学性质

易万兵; 张文杰;吴瑾; 邹世昌

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所~~上海~2000502. 上海宏力半导体制造有限公司~~上海~201203;3. 中国科学院研究生院~~北京~100039

引用本文:

易万兵; 张文杰; 吴瑾; 邹世昌 . TiN薄膜的循环制备和电学性质[J]. 材料研究学报, 2006, 20(2): 213-216.

全文: PDF(579 KB)

摘要: 用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 制备了TiN薄膜, 通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质. 结果表明, 多次循环会引入界面而增大电阻率, 与薄膜成分和微结构分析的结果一致. 得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低. 通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较, 发现介窗(Via)直径越小, TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.

关键词 ：金属材料, TiN, MOCVD, 等离子体处理

Key words：

收稿日期: 1900-01-01

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