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材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (3): 328-330    
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光谱法控制ITO膜沉积速率
黄士勇;王德苗;任高潮;陈抗生
浙江大学;浙江大学;浙江大学;浙江大学
CONTROLLING DEPOSITION RATE OF ITO FILM BY SPECTROMETRY
HUANG Shiyong; WANG Demiao; REN Gaocao; CHEN Kangsheng (Zhejiang University)
引用本文:

黄士勇;王德苗;任高潮;陈抗生. 光谱法控制ITO膜沉积速率[J]. 材料研究学报, 1997, 11(3): 328-330.
, , , . CONTROLLING DEPOSITION RATE OF ITO FILM BY SPECTROMETRY[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(3): 328-330.

全文: PDF(195 KB)  
摘要: 用磁控反应溅射方法制备ITO膜时,溅射速率不断变化,并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光.报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法,并用以控制ITO膜的沉积过程
关键词 光谱法溅射速率等离子体ITO膜    
Abstract:In the ITO films deposition by reactive magnetron sputtering, the deposition rate of ITO film will change with the carrying out of sputtering. We provide a new method to monitor the sputtering viel by detecting the characteristic light intensity of plasma
Key wordsspectrometry sputtering yield plasma ITO films
收稿日期: 1997-06-25     
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