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材料研究学报  1992, Vol. 6 Issue (3): 236-240    
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离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性
王浩;黄荣芳;洪瑞江;吴杰;闻立时
中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所
MICROSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THE AIN FILMS DEPOSITED BY ION BEAM ENHANCED REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING
WANG Hao;HUANG Rongfang;HONG Ruijiang;WU Jie;WEN Lishi(Institute of Metal Research;Academia Sinica)
引用本文:

王浩;黄荣芳;洪瑞江;吴杰;闻立时. 离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性[J]. 材料研究学报, 1992, 6(3): 236-240.
, , , , . MICROSTRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THE AIN FILMS DEPOSITED BY ION BEAM ENHANCED REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING[J]. Chin J Mater Res, 1992, 6(3): 236-240.

全文: PDF(586 KB)  
摘要: 对离子束增强反应磁控溅射低温沉积AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜AIN 是呈(002)择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm~(-1)处有个吸收带,通过计算得到了AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。
关键词 薄膜AlN磁控溅射    
Abstract:Microstructure,crystallography,electron structure and optical properties ofaluminum nitride film deposited by ion beam enhanced reactive magnetron sputtering were stu-died.The results show that the microstructure of the film is uniform and the grain size
Key wordsthin films    AIN    magnetron sputtering
收稿日期: 1992-06-25     
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