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材料研究学报  1994, Vol. 8 Issue (5): 449-451    
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Ta_2O_5薄膜的离子敏感特性
吴冲若;刘刚;林海安;邱洁真
东南大学
THE ION SENSITIVE BEHAVIOR OF Ta_2O_5 MEMBRANE
WU Chongruo; LIU Gang; LIN Haian; QIU Jiezheng (Department of Electronic Engineering; Southeast University)
引用本文:

吴冲若;刘刚;林海安;邱洁真. Ta_2O_5薄膜的离子敏感特性[J]. 材料研究学报, 1994, 8(5): 449-451.
, , , . THE ION SENSITIVE BEHAVIOR OF Ta_2O_5 MEMBRANE[J]. Chin J Mater Res, 1994, 8(5): 449-451.

全文: PDF(263 KB)  
摘要: 用磁控溅射法制备了T0a2O5薄膜,再用C-V法和JFET外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度.实验发现,在纯氧中沉积的厚200nmT2O5薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性.
关键词 Ta_2O_5薄膜离子敏感薄膜电极稳定性    
Abstract:The H+ sensitive behavior of Ta2O5 has ben reported on the letter. The magnetron-sputtering method was chosen for the Ta2O5 membranedeposition. C-V measurments of MIS structures were uesd for evaluatingthe stability of the membranes. It is shown that the
Key words Ta_2O_5 membrane    ion sensitive    membrane electrode    stability
收稿日期: 1994-10-25     
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