材料研究学报  1996, Vol. 10 Issue (2): 191-194

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TiB_2超硬薄膜的合成及性能

王曦

中国科学院上海冶金研究所

SYNTHESIS AND PROPERTIES OF SUPER-HARD TiB_2 FILM

WANG Xi(Shanghai Instituteof Metallurgy.Chinese Academy of Sciences)P.J.Martin(CSIRO Division of Applied Physics)Correspondent: (Shanghai Institute of Metallurgy;Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050)

王曦. TiB_2超硬薄膜的合成及性能[J]. 材料研究学报, 1996, 10(2): 191-194.
. SYNTHESIS AND PROPERTIES OF SUPER-HARD TiB_2 FILM[J]. Chin J Mater Res, 1996, 10(2): 191-194.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(958 KB)   摘要: 采用离子束溅射方法制备了TiB2硬质薄膜AFM观察表明薄膜表面非常光滑AES、XRD和XPS分析证明薄膜中上要是B、Ti比为1.8,六方结构的TiB2多品体,且呈现强烈的(101)择优取向.由超显微压痕测量系统测得的加载、卸载曲线计算得到的薄膜的防微硬度高达48GPa。 关键词 ： 离子束,  薄膜,  TiB_2     Abstract：Hard TiB2 films have been synthesized by ion beam sputtering. Observation by AFM indicated that the surface of the prepared TiB2 films is very smooth. AES, XRD and XPS analysis showed that the B: Ti ratio in the films is 1.8, the formed films are pricipal Key words： ion beam;film;TiB_2 收稿日期: 1996-04-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 王曦 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1996/V10/I2/191 1HolleckH,JVacSciTechnol,1986,A4(6):26612ShappirioJR,FinneganJJ,LuxRA,KwistkowskiJ,KattelusandH,NicoletMAJVacSciTechnol,1985,A3:22553BunshanRF,SchrammRJ,NimmagaddaR,MovchanandBA,BorodinVPThinSolidFilms,1977,40;1694PiersonHO,MullendoreAW,ThinSolidFilms,1982,95:995BroszeitE,MatthesB,HerrW,KloosKH,SurfCoatTechnol,1993,58:296RyanJG,RobertsS,SlusserGJ,AdamsED．ThinSolidFilms,1987,153:3297ShikamaT,SakaiY,FukutomiM,OkadaMThinSolidFilms,1988,156:2828LohmannR,OsterschulzeE,ThomaK,GartnerH,HerrW,MatthesB,BroszeitE,KloosKH．MaterSciEng,1991,A139:2599KnotekO,LoffierFJHardMater,1992,3(1):2910TreglioJR,TrujilloS,PerryAJSurfCoatTechnolo,199361:31511RivierJP,Ph．Guesdom,DelafondP,DenanotMFThinSolidFilms,1991,204:15112BellTJ,BendeliA,FieldJS,SwainMV,ThwaiteEGMetrologia,1991//1992,28:46313PowderDiffractionFile,ASTM,Philadelphia,PA,1963,Card8-12114JonssonB,HomarkS．ThinSolidFilms,1984,114:25 [1] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [2] 朱海勇, 张伟. 锰掺杂和氧化铌种子层对铌酸钾钠薄膜电性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(12): 945-950. [3] 崔丽, 孙丽丽, 郭鹏, 马鑫, 王舒远, 汪爱英. 沉积时间对聚醚醚酮表面类金刚石薄膜的结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(11): 801-810. [4] 李修贤, 邱万奇, 焦东玲, 钟喜春, 刘仲武. α籽晶促进低温反应溅射沉积α-Al2O3薄膜[J]. 材料研究学报, 2022, 36(1): 8-12. [5] 孙丽颖, 钱建华, 赵永芳. AgNWs-TPU/PVDF柔性薄膜电容传感器的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(6): 441-448. [6] 孙茂林, 宫震, 王施文, 尹航, 李瑞武, 张政, 李雨彤, 吴法宇. 氧控In2O3薄膜的光电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(5): 394-400. [7] 张泽灵, 王世琦, 徐邦利, 赵昱皓, 张旭海, 方峰. FeCoNiMoCr高熵合金薄膜电极的电催化析氧性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(3): 193-200. [8] 熊文文, 何嵩, 郑淞生, 程其进, 沈宏勋, 陈朝. 用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 154-160. [9] 宋贵宏, 李秀宇, 李贵鹏, 杜昊, 胡方. 溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(11): 835-842. [10] 谢明玲, 张广安, 史鑫, 谭稀, 高晓平, 宋玉哲. Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 59-64. [11] 张大磊, 魏恩泽, 荆赫, 杨留洋, 豆肖辉, 李同跃. 超级铁素体不锈钢表面超疏水结构的制备及其耐腐蚀性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 7-16. [12] 刘芝君, 李之锋, 王春香, 谢光明, 黄庆研, 钟盛文. 四氧化三钴/碳纳米管薄膜的水热合成及其储锂性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 584-590. [13] 李贵鹏, 宋贵宏, 胡方, 杜昊, 尹荔松. 溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 561-568. [14] 王世琦,霍文燚,徐正超,张旭海,周雪峰,方峰. 钴掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及其光催化还原性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(3): 176-182. [15] 王志虎,张菊梅,白力静,张国君. 水热处理对AZ31镁合金微弧氧化陶瓷层组织结构及耐蚀性的影响[J]. 材料研究学报, 2020, 34(3): 183-190. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed