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材料研究学报  1997, Vol. 11 Issue (2): 212-215    
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掺钇非晶硅的电特性
程兴奎
山东大学
ELECTRONIC PROPERTIS OF Y-DOPED AMORPHOUS SILICON
CHENG Xingkui (Shanking University)
引用本文:

程兴奎. 掺钇非晶硅的电特性[J]. 材料研究学报, 1997, 11(2): 212-215.
. ELECTRONIC PROPERTIS OF Y-DOPED AMORPHOUS SILICON[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(2): 212-215.

全文: PDF(322 KB)  
摘要: 由射频溅射技术将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅,制备出一种新的N型半导体材料.掺Y低于9%(原子百分数,下同)时,在测量温度范围内1ogσ~T~-1呈线性关系;当掺Y高于13%时,logσ~T-关系可拟合成有一个拐点的两条直线;当掺Y达~30%时,发生由半导体向金属的转变
关键词 溅射掺Y非晶硅电特性    
Abstract:A new n-type amorphous silicon material, which is prepared by doping with Yttrium by r.f.sputtering, has been obtained. Temperature dependence of conductivity for several samlpes containing different concentration of Y shows that, as the concentration of
Key wordssputtering Y-doped amorphoussilicon eletronic properties
收稿日期: 1997-04-25     
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