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材料研究学报  1993, Vol. 7 Issue (6): 521-525    
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离子束辅助沉积制备多晶Al_2O_3薄膜
王晨;杨杰;范玉殿;陶琨
清华大学材料科学与工程系;北京市100084;清华大学;清华大学;清华大学
POLYCRYSTALLINE Al_2O_3 FILM PREPARED BY IBAD
WANG Chen;YANG Jie;FAN Yudian;TAO Kun(Tsinghua University)
引用本文:

王晨;杨杰;范玉殿;陶琨. 离子束辅助沉积制备多晶Al_2O_3薄膜[J]. 材料研究学报, 1993, 7(6): 521-525.
, , , . POLYCRYSTALLINE Al_2O_3 FILM PREPARED BY IBAD[J]. Chin J Mater Res, 1993, 7(6): 521-525.

全文: PDF(1257 KB)  
摘要: 利用电子枪蒸镀Al_2O_3,同时辅以Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备Al_2O_3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al_2O_3晶态薄膜,而PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。
关键词 离子束辅助沉积氧化铝薄膜    
Abstract:Alumina films were prepared by electron beam evaperation from α-Al_2O_3 with10 keV or 20 keV argon ion bombardment.The temperature of substrates was maintained atroom temperature(RT)or 300℃.The structure and topography were investigated by XRD,XPS,TEM and
Key wordsion beam assisted deposition    γ-Al_2O_3    thin film
收稿日期: 1993-12-25     
基金资助:国家自然科学基金 69391200
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