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材料研究学报  1993, Vol. 7 Issue (5): 385-390    
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SiGe:GaP合金的微观结构和温差电特性
高敏;D.M.ROWE
昆明物理研究所;UniversityofWalesCollegeofCardiff
MICROSTRUCTURE AND THERMOELECTRIC PROPERTIES OF SiGe:GaP ALLOYS
GAO Min D.M.ROWE (Kunming Institute of Physics)(University of Wales College of Cardiff)
引用本文:

高敏;D.M.ROWE. SiGe:GaP合金的微观结构和温差电特性[J]. 材料研究学报, 1993, 7(5): 385-390.
, . MICROSTRUCTURE AND THERMOELECTRIC PROPERTIES OF SiGe:GaP ALLOYS[J]. Chin J Mater Res, 1993, 7(5): 385-390.

全文: PDF(1236 KB)  
摘要: 经高温热处理后的SiGe∶GaP 半导体温差电材料,其微观结构由具有富Si 相特征变化成为具有富Ge 相特征,温差电优值也得到了提高。实验还表明,材料晶格热导率的降低与富Si 相的消失和富Ge相的出现有关。然而,塞贝克系数和电导率的显著变化却与微观结构中富Si 相和富Ge 相的变化基本无关。通过对材料微观结构和温差电特性比较发现,具有富Ge 相特征的微观结构对应于较大的温差电优值。
关键词 SiGe:GaP 合金温差电性质微观结构热处理    
Abstract:An experimental investigation into the effect of heat treatment on morphologyand thermoelectric properties of SiGe:GaP alloys is reported.Attempt was made to correlate thechangas in the thermoelectric properties with these in matarial's morphology.The res
Key wordsSiGeGaP alloys    thermoelectricity    microstructure    heat treatment
收稿日期: 1993-10-25     
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