材料研究学报  1991, Vol. 5 Issue (3): 247-251

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低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜

景俊海;孙青;付俊兴;孙建成

西安电子科技大学;西安电子科技大学;西安电子科技大学;西安电子科技大学

LOW-TEMPERATURE Hg SENSITIZED PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITED Si_3N_4 FILMS

JING Junhai SUN Qing FU Junxing SUN Jiancheng (University of Electronics Science and Technology of Xi'an)

景俊海;孙青;付俊兴;孙建成. 低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si_3N_4薄膜[J]. 材料研究学报, 1991, 5(3): 247-251.
, , , . LOW-TEMPERATURE Hg SENSITIZED PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITED Si_3N_4 FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1991, 5(3): 247-251.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(379 KB)   摘要: 用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在Si 片上淀积出了Si_3N_4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的Si_3N_4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。 关键词 ： 低温,  Hg 敏化,  光化学气相淀积,  Si_3N_4,  薄膜     Abstract：Si_3N_4 films have been deposited on Si wafers at temperature range of 100—200℃ by photo-CVD technique.This paper presents the relationship between the deposi-tion rate and other deposition parameters of the films.The physical,chemical and mechani-cal pro Key words： low-temperature    Hg sensitizing    photo-CVD    Si_3N_4    films 收稿日期: 1991-06-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 景俊海 孙青 付俊兴 孙建成 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1991/V5/I3/247 1 Padmanabhan R et al.J Vac Sci Technol,1988;A6;2226 2 Bertl M et al.Thin Solid Films,1988;165:279 3 Peters J W et al.Solid State Technology,1980;9:121 4 Ehrlich D J et al.Appl Phys Lett,1981;38;946 5 Sinha A K et al.J Electrochem Soc,1978;125:601 6 金原粲,藤原英夫著,王力衡,郑海涛译.薄膜.北京:电子工业出版社,1988:13 [1] 董宇昂, 阳华杰, 贲丹丹, 马云瑞, 周相海, 王斌, 张鹏, 张哲峰. 液氮电脉冲处理超细晶316L不锈钢的低温拉伸性能[J]. 材料研究学报, 2023, 37(3): 168-174. [2] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [3] 朱海勇, 张伟. 锰掺杂和氧化铌种子层对铌酸钾钠薄膜电性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(12): 945-950. [4] 崔丽, 孙丽丽, 郭鹏, 马鑫, 王舒远, 汪爱英. 沉积时间对聚醚醚酮表面类金刚石薄膜的结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(11): 801-810. [5] 李修贤, 邱万奇, 焦东玲, 钟喜春, 刘仲武. α籽晶促进低温反应溅射沉积α-Al2O3薄膜[J]. 材料研究学报, 2022, 36(1): 8-12. [6] 汪鹏, 卢希龙, 曹春娥, 陈云霞, 沈华荣, 张旭. 成核-生长型液-液分相对无铅低温熔剂性能的影响[J]. 材料研究学报, 2021, 35(9): 657-666. [7] 孙丽颖, 钱建华, 赵永芳. AgNWs-TPU/PVDF柔性薄膜电容传感器的制备和性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(6): 441-448. [8] 孙茂林, 宫震, 王施文, 尹航, 李瑞武, 张政, 李雨彤, 吴法宇. 氧控In2O3薄膜的光电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(5): 394-400. [9] 张泽灵, 王世琦, 徐邦利, 赵昱皓, 张旭海, 方峰. FeCoNiMoCr高熵合金薄膜电极的电催化析氧性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(3): 193-200. [10] 熊文文, 何嵩, 郑淞生, 程其进, 沈宏勋, 陈朝. 用RF-PECVD法制备类金刚石薄膜[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 154-160. [11] 宋贵宏, 李秀宇, 李贵鹏, 杜昊, 胡方. 溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(11): 835-842. [12] 谢明玲, 张广安, 史鑫, 谭稀, 高晓平, 宋玉哲. Ti掺杂MoS2薄膜的抗氧化性和电学性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 59-64. [13] 张大磊, 魏恩泽, 荆赫, 杨留洋, 豆肖辉, 李同跃. 超级铁素体不锈钢表面超疏水结构的制备及其耐腐蚀性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 7-16. [14] 刘芝君, 李之锋, 王春香, 谢光明, 黄庆研, 钟盛文. 四氧化三钴/碳纳米管薄膜的水热合成及其储锂性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 584-590. [15] 李贵鹏, 宋贵宏, 胡方, 杜昊, 尹荔松. 溅射沉积掺Ag的SnSe薄膜的微结构和热电性能[J]. 材料研究学报, 2020, 34(8): 561-568. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed