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材料研究学报  1990, Vol. 4 Issue (6): 530-533    
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电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术
张佐兰
东南大学
NOVEL TECHNIQUE OF PROCESSING SILICON MEMBRANE FOR ELECTROCHEMICAL ETCH-STOP
ZHANG Zuolan(Southeast University)
引用本文:

张佐兰. 电化学腐蚀自停止制备Si膜的新技术[J]. 材料研究学报, 1990, 4(6): 530-533.
. NOVEL TECHNIQUE OF PROCESSING SILICON MEMBRANE FOR ELECTROCHEMICAL ETCH-STOP[J]. Chin J Mater Res, 1990, 4(6): 530-533.

全文: PDF(279 KB)  
摘要: 本文介绍高精度控制Si 膜厚度的电化学腐蚀自停止新技术。讨论光照和电极欧姆接触等对腐蚀特性的影响,以及所得Si 膜的质量。
关键词 电化学腐蚀腐蚀自停止薄膜sol材料    
Abstract:Novel technique of electrochemical etch-stop for high-precision thicknesscontrol of silicon membrane was presented in this paper.The influences of light irradiationand ohm contact of electrode on etch characterization were discussed.Quality of the silicon
Key wordselectrochemical etch    etch-stop    membrane    sol material
收稿日期: 1990-12-25     
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