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材料研究学报  2005, Vol. 19 Issue (4): 395-400    
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表面张力温度系数对硅单晶生长的影响
李友荣(1); 邓努波(1;2); 吴双应(1); 彭岚(1); 李明伟
1.重庆大学; 2.重庆电力高等专科学校
引用本文:

李友荣; 邓努波; 吴双应; 彭岚; 李明伟 . 表面张力温度系数对硅单晶生长的影响[J]. 材料研究学报, 2005, 19(4): 395-400.

全文: PDF(670 KB)  
摘要: 利用有限元方法对硅单晶Czochralski(Cz)法生长炉内的流动和传输过程进行了全局数值模拟,研究了表面张力温度系数对硅单晶生长过程的影响,模拟的表面张力温度系数范围是(0-0.35)×10-3N/m•K.结果表明:随着表面张力温度系数的增加, 由Marangoni效应驱动的熔体表面流动能强化熔体的自然对流,从而减小了通过熔体自由界面的温差, 降低了加热器的功率. 但是, 结晶界面更凸向熔体,在结晶界面处晶体内的轴向温度梯度减小; 对常规Cz炉,结晶界面处的平均氧浓度先减小然后增大, 而对于具有气体导板的Cz炉,Marangoni效应总是使结晶界面处的平均氧浓度减小.
关键词 材料科学基础学科全局分析有限元方法    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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