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材料研究学报  2005, Vol. 19 Issue (3): 250-254    
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轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响
李友荣;余长军;吴双应;彭岚
重庆大学
引用本文:

李友荣; 余长军; 吴双应; 彭岚 . 轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响[J]. 材料研究学报, 2005, 19(3): 250-254.

全文: PDF(702 KB)  
摘要: 利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流, 熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定, 模拟磁场强度范围为(0~0.3)T, 研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明: 轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内的轴向温度梯度; 对于常规Cz炉,轴向磁场可增大结晶界面平均氧浓度, 而对于具有气体导板的Cz炉,则会减小结晶界面平均氧浓度.
关键词 材料科学基础学科全局分析有限元方法    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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