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材料研究学报  2003, Vol. 17 Issue (6): 565-570    
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InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究
武光明1; 朱江1 ; 李月法2 ;贾 锐3
1. 北京石油化工学院; 2. 中国科学院半导体研究所; 3. 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
引用本文:

武光明; 朱江; 李月法; 贾锐 . InP(001)基衬底上自组织生长InAs量子点(线)的光学性质研究[J]. 材料研究学报, 2003, 17(6): 565-570.

全文: PDF(478 KB)  
摘要: 在InP(001)基衬底上用分子束外延方法生长InAs纳米结构材料,通过衬底的旋转与否及混合生长模式,得到了两种InAs量子点和量子线,并研究了量子点、线的光学性质。结果表明,两种方式都可生长出较强发光的量子点(线);由量子点排列构成的量子线的光致发光光谱呈现出多峰结构,分析和理论计算表明这是InAs量子线上各量子点在垂直方向上不同高度分布和非连续性而造成的。
关键词 材料科学基础学科InAs自组织量子点(线    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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