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2003年, 第17卷, 第6期 刊出日期:2003-12-25
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Pb掺杂SnO2压敏电阻的晶粒尺寸效应
王矜奉; 陈洪存; 赵春华; 高建鲁
材料研究学报. 2003, 17 (6): 617-620.
研究了Pb3O4对(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数, 下同)时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760. 这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂. 晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小. 随着Pb含量的增加,SnO2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.对样品的复阻抗进行了测量, 发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50%Pb3O4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型, 指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
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喷射成形7075+TiC铝合金的半固态组织研究
刘慧敏 ; 杨; 滨; 张济山
材料研究学报. 2003, 17 (6): 637-642.
制备具有不同原位TiC颗粒含量的喷射成形7075铝合金,在610℃和620℃二次加热并保温30 min,淬火固定其半固态组织后采用扫描电镜进行观察.利用平均截线法统计其平均晶粒尺寸,分析不同颗粒含量对喷射成形7075铝合金半固态组织的影响规律. 结果表明,当原位TiC颗粒含量达到2.91%(体积分数, 下同)时已经产生良好的钉扎效果,使得合金基本保持喷射成形组织特征, 能够满足后续的半固态成形工艺要求.与7075铝合金相比, 抗拉强度提高4.2\%. TiC颗粒的含量减少至1.73%和1.15%时,局部区域发生晶粒的异常长大现象, 使合金组织的均匀化程度下降.
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垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析
刘俊成; 谷智; 介万奇
材料研究学报. 2003, 17 (6): 654-658.
模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对结晶界面的形态和晶体组分偏析的影响. 结果表明:当熔体的过热温度减小时, 熔体中自然对流的强度显著降低,固液界面的凹陷深度有所增加, 晶体的轴向等浓度区显著加长,而晶体组分的径向偏析明显增大. 坩埚的侧面强化换热增加了自然对流强度,也增大了固液界面的凹陷, 但是对溶质成分的偏析影响较小.坩埚加速旋转引起的强迫对流强度远大于自然对流,显著增大了固液界面的凹陷, 使熔体中的溶质分布成为均一的浓度场,显著减小了晶体组分的径向偏析, 增加了晶体组分的轴向偏析.
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