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材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (1): 33-40    
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离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜
李炜1; 茅东升1; 张福民1; 王曦1; 柳襄怀1; 邹世昌1; 诸玉坤2; 李琼2; 徐静芳2
1中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室; 2华东师范大学
引用本文:

李炜; 茅东升; 张福民; 王曦; 柳襄怀; 邹世昌; 诸玉坤; 李琼 ; 徐静芳 . 离子束溅射制备ZnO:Zn荧光薄膜[J]. 材料研究学报, 2001, 15(1): 33-40.

全文: PDF(893 KB)  
摘要: 用离子束溅射法制备了用于场发射显示器(FED)的ZnO:Zn荧光薄膜.采用RBS、XRD、AFM、Hall和PL谱等手段表征了热处理前后的薄膜.RBS结果表明薄膜中存在一定数量的过量Zn.沉积态的薄膜中同时含有非晶相和晶相, 其表面形貌表现出多种结构.Hall检测发现, 升高热处理温度能降低薄膜中的自由载流子浓度,说明过量Zn含量的下降; 当热处理温度超过400℃时, Hall迁移率迅速上升,表明薄膜结晶性能的改善. 在ZnO:Zn薄膜的PL谱中检测到紫外/紫光、蓝/绿光两组荧光峰, 一价氧空位(V•o)充当了蓝/绿光的发光中心.薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大,可能的原因包括薄膜结构缺陷的修复、成分均匀化和过量Zn的蒸发,但这些效应在不同温度范围的作用程度各不相同.
关键词 ZnO:Zn荧光薄膜热处理光致发光    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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