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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (5): 531-534    
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用等离子体基脉冲偏压技术制备DLC膜
孙明仁(1);夏立芳(1);孙跃(1);马欣新(1);李光(1);张振信(2)
1.哈尔滨工业大学;2.哈尔滨理工大学
引用本文:

孙明仁; 夏立芳; 孙跃; 马欣新; 李光; 张振信 . 用等离子体基脉冲偏压技术制备DLC膜[J]. 材料研究学报, 1999, 13(5): 531-534.

全文: PDF(434 KB)  
摘要: 用等离子体基脉冲偏压技术制备了DLC(类金刚石碳)膜,DLC膜硬度值达30GPa,电阻值达100MΩ以上. 降低脉冲负偏压峰值及适量引入氢气可促进SP3结构的形成,但氢气量超过一定阈值后SP2束片尺寸细化,SP2键含量有增加的趋势. 在GCr15轴承钢基体上经磁近代溅射沉积约300nm纯Ti层,再用脉冲偏压技术沉积DLC膜的改性层,在DLC膜与GCr15钢基体之间形成了C-Ti成分渐变的梯度层.
关键词 等离子体等离子体基脉冲偏压技术DLC膜    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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