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材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (5): 561-564    
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单晶Si中(11(-1)0)面沿[112(-1)]方向裂纹的脆韧性转变
谭军;李守新;姚戈;温井龙
中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室
引用本文:

谭军; 李守新; 姚戈; 温井龙 . 单晶Si中(11(-1)0)面沿[112(-1)]方向裂纹的脆韧性转变[J]. 材料研究学报, 2001, 15(5): 561-564.

全文: PDF(1015 KB)  
摘要: 利用改进压轮法预制出与以往不同的(11(-1)0)面[[112(-1)]方向的平直裂纹.采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子Kc,用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌, 研究了硅单晶中的脆韧性转变(BDT)行为.结果表明, 随着加载速率从4μm/s增加到16μm/s,脆韧性转变温度向高温方向移动, 转变区间由35K减至狭小的8K,在这一区间内临界应力强度因子突然上升.在脆韧性转变过程中当裂纹扩展越过塑性饱和区后出现(11(-1)1(-1))和[1(-1)11(-1)]面的交滑移,说明脆韧性转变与滑移系的启动有密切的关系.
关键词 Si单晶脆韧性转变裂纹滑移面    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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