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材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (5): 553-558    
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工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响
李进延;侯立松;干福熹
中国科学院上海光学精密机械研究所
引用本文:

李进延; 侯立松; 干福熹 . 工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响[J]. 材料研究学报, 2001, 15(5): 553-558.

全文: PDF(578 KB)  
摘要: 采用射频磁控溅射工艺, 在K9玻璃基片上用Ag-In-Sb-Te合金靶制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,将沉积态薄膜在300℃进行了热处理. 测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响. 结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使Ag8In14Sb55Te23相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能.
关键词 射频磁控溅射Ag8In14Sb55Te23相变薄膜    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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