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材料研究学报  2002, Vol. 16 Issue (5): 517-522    
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用直流溅射工艺制备的氧化铌薄膜的性能
黄银松;章俞之;胡行方
中国科学院上海硅酸盐研究所
引用本文:

黄银松; 章俞之; 胡行方 . 用直流溅射工艺制备的氧化铌薄膜的性能[J]. 材料研究学报, 2002, 16(5): 517-522.

全文: PDF(668 KB)  
摘要: 采用直流反应溅射工艺制备了五氧化二铌薄膜,用XRD、AFM、AES和循环伏安等测试手段分析并研究了薄膜的组成、结构、表面形貌和电致变色性能间的关系。结果表明:在基底加热条件下可获得晶态TT-Nb2O5薄膜,沉积气压较高时的薄膜具有沿(100)面定向生长、结构相对较为疏松的柱状结构,这种薄膜具有良好的电化学稳定性,锂离子注入/抽出可逆性好,并具有灰色变色特性,在可见区(波长600nm)的透过率调制幅度为35%。
关键词 微观结构表面形貌氧化铌薄膜直流反应    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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