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材料研究学报  2001, Vol. 15 Issue (4): 411-414    
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制备工艺对InP/SiO2纳米膜性能的影响
丁瑞钦1;2; 王浩 1; 佘卫龙2; 王宁娟1; 于英敏1
1五邑大学; 2中山大学超快速激光光谱国家重点实验室
引用本文:

丁瑞钦; 王浩; 佘卫龙; 王宁娟; 于英敏 . 制备工艺对InP/SiO2纳米膜性能的影响[J]. 材料研究学报, 2001, 15(4): 411-414.

全文: PDF(773 KB)  
摘要: 应用射频磁控共溅射方法,分别在InP薄片与磁控靶底座紧接触(方法1)和InP薄片放在石英靶表面(方法2)两种情况下制备了InP/SiO2复合薄膜,并分别在高纯H2中和在P气氛中对薄膜进行了热处理。X 射线光电子能谱表明,对于用方法1制备的复合膜,其SiO2中的氧缺位、P 和In 的氧化物的含量都比用方法2 的少得多。X射线和卢瑟福背散射实验结果表明,在P气氛下的高温(520℃)热处理,可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的InP/SiO2纳米颗粒复合薄膜。复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关。较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理。
关键词 InP/SiO2纳米复合膜化学组分微观结构    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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