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材料研究学报  1999, Vol. 13 Issue (6): 581-586    
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离子束辅助沉积金红石型氧化钛薄膜的择优取向控制
张峰;郑志宏;柳襄怀
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
引用本文:

张峰; 郑志宏; 柳襄怀 . 离子束辅助沉积金红石型氧化钛薄膜的择优取向控制[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6): 581-586.

全文: PDF(564 KB)  
摘要: 用惰性气体(Ne+、Xe+)离子束辅助沉积(IBAD)技术, 合成了金红石型氧化钛薄膜. 在薄膜生长过程中,离子束以45$^{\circ}$角轰击薄膜. 通过增加离子原子到达比$\gamma$,实现了金红石型氧化钛薄膜从(110)择优取向向(100)择优取向的转变.研究了取向转变的机制,择优取向的转变是表面能和沟道效应竞争的结果.估算了晶面的表面能,发现(110)面具有最小的表面能. 当$\gamma$较小时,表面能控制薄膜的取向,此时薄膜表现为具有最小表面能的晶面(110)择优生长;随着$\gamma$的增加,对离子束具有较宽沟道的晶面(200)择优生长.
关键词 离子束辅助沉积氧化钛择优取向    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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