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材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (3): 335-336    
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碳化硅纳米晶须生长和显微结构
韩伟强;范守善;李群庆;顾秉林
清华大学;北京市;100084;清华大学;清华大学;清华大学
GROWTH AND MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE NANORODS
HAN Weiqiang; FAN Shoushan;LI Qunqing;GU Binglin (Dept. of Physics; Tsinghua University; Beijing 100084)
引用本文:

韩伟强;范守善;李群庆;顾秉林. 碳化硅纳米晶须生长和显微结构[J]. 材料研究学报, 1998, 12(3): 335-336.
, , , . GROWTH AND MICROSTRUCTURE OF SILICON CARBIDE NANORODS[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(3): 335-336.

全文: PDF(892 KB)  
摘要: 采用两步生长法生成碳化硅纳米晶须首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅,再与碳纳米管先驱体反应生成β-SiC纳米晶须其直径为3~35nm,长度为2~20μm.用高分辨透射电镜研究晶须的形貌、显微结构,讨论了碳化硅纳米晶须生长机制.
关键词 碳化硅纳米晶须碳纳米管生长机制    
Abstract:A method of two step reactions for Synthesis SiC nanorods has been reported. First,Sio vapour was generated via the silicon reduction of silica. Second, the generated SiO vapour reacted with carbon nanotubes, which resulted in the growth of the single cry
Key wordsSiC nanorods    carbon nandtubes    growth mechanism
收稿日期: 1998-06-25     
基金资助:国家自然科学基金!19704009
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