材料研究学报  1992, Vol. 6 Issue (1): 60-63

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用DC-PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN

杨川;吴大兴;高国庆

西南交通大学材料工程系;四川省成都市610031;西南交通大学;西南交通大学

DEPOSITION OF TiN ON INSULATOR ALUNDUM BY DC-PCVD INSTRUMENT

YANG Chuan;WU Daxing;GAO Guoqing(Southwest Jiaotong University)

杨川;吴大兴;高国庆. 用DC-PCVD装置在绝缘体蓝宝石上沉积TiN[J]. 材料研究学报, 1992, 6(1): 60-63.
, , . DEPOSITION OF TiN ON INSULATOR ALUNDUM BY DC-PCVD INSTRUMENT[J]. Chin J Mater Res, 1992, 6(1): 60-63.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(274 KB)   摘要: 用直流等离子体化学气相沉积装置(简称DC-PCVD)在绝缘体蓝宝石上沉积了与基体结合力强的TiN,探讨了机制及影响成膜的因素。 关键词 ： DC-PCVD,  蓝宝石,  沉积     Abstract：The thin film TiN that has been deposited on the insulation alundum by DCplasma chemical deposition(DC-PCVD)instrument has a strong adhesion to the substrate.The forming mechanism of thin film TiN and effect factor of the film quality have been dis-cussed Key words： DC-PCVD    alundum    deposition 收稿日期: 1992-02-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 杨川 吴大兴 高国庆 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1992/V6/I1/60 1 李恒德,肖继美.材料表面与界面,北京:清华大学出版社,1990:77 2 王福贞,闻立时.表面沉积技术,北京:机械工业出版社,1989:10 [1] 陆益敏, 马丽芳, 王海, 奚琳, 徐曼曼, 杨春来. 脉冲激光沉积技术生长铜材碳基保护膜[J]. 材料研究学报, 2023, 37(9): 706-712. [2] 方向明, 任帅, 容萍, 刘烁, 高世勇. 自供能Ag/SnSe纳米管红外探测器的制备和性能研究[J]. 材料研究学报, 2022, 36(8): 591-596. [3] 殷洁, 胡云涛, 刘慧, 杨逸霏, 王艺峰. 基于电沉积技术构建聚苯胺/海藻酸膜及电化学性能研究[J]. 材料研究学报, 2022, 36(4): 314-320. [4] 邵思武, 郑宇亭, 安康, 黄亚博, 陈良贤, 刘金龙, 魏俊俊, 李成明. 偏压技术在金刚石薄膜制备中应用的进展[J]. 材料研究学报, 2022, 36(3): 161-174. [5] 崔丽, 孙丽丽, 郭鹏, 马鑫, 王舒远, 汪爱英. 沉积时间对聚醚醚酮表面类金刚石薄膜的结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2022, 36(11): 801-810. [6] 李修贤, 邱万奇, 焦东玲, 钟喜春, 刘仲武. α籽晶促进低温反应溅射沉积α-Al2O3薄膜[J]. 材料研究学报, 2022, 36(1): 8-12. [7] 唐长斌, 牛浩, 黄平, 王飞, 张玉洁, 薛娟琴. NF/PDMA/MnO2-Co电容电极对低浓度Pb2+的电吸附特性[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 115-127. [8] 刘主峰, 黄耀东, 杨潇, 贺媛婧, 李昭青, 闫春泽. 基于激光选区熔化成形Ni-Cu合金模板的Ni-Cu-石墨烯复合材料的制备[J]. 材料研究学报, 2021, 35(1): 1-6. [9] 李辉, 潘捷, 曹凯元, 刘慧, 殷洁, 王艺峰. 用电沉积法制备纳米氧化锌/海藻酸钠复合膜[J]. 材料研究学报, 2020, 34(11): 829-834. [10] 汤洋. 电沉积氧化锌纳米柱的带隙和近带边发射蓝移[J]. 材料研究学报, 2020, 34(11): 875-880. [11] 甄龙云, 彭鹏, 仇成功, 郑蓓蓉, Armaou Antonios, 钟蓉. Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响[J]. 材料研究学报, 2020, 34(10): 744-752. [12] 张栋,柯培玲,汪爱英,王香勇,智理. 用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能[J]. 材料研究学报, 2019, 33(6): 467-474. [13] 王宜豹,黄楠,刘鲁生,袁子尧,李鹏,张文雪,姜辛. 加工7075航空铝合金用金刚石涂层刀具的制备及其切削性能[J]. 材料研究学报, 2019, 33(1): 15-26. [14] 王永平,丁子君,朱宝,刘文军,丁士进. TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能[J]. 材料研究学报, 2019, 33(1): 9-14. [15] 刘飞, 刘敏, 毛杰, 邓子谦, 马景涛, 邓畅光, 曾德长. H2对等离子喷涂-物理气相沉积热障涂层的结构和抗冲刷性能的影响[J]. 材料研究学报, 2018, 32(9): 641-646. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed