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材料研究学报  1990, Vol. 4 Issue (4): 348-351    
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浸渍法VO_2薄膜的相变
陆松伟;侯立松;干福熹
中国科学院上海光学精密机械研究所;中国科学院上海光学精密机械研究所;中国科学院上海光学精密机械研究所
PHASE TRANSITION OF VO_2 THIN FILMS PREPARED BY DIP-COATING TECHNIQUE
LU Songwei;HOU Lisong;GAN Fuxi(Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics;Academia Sinica)
引用本文:

陆松伟;侯立松;干福熹. 浸渍法VO_2薄膜的相变[J]. 材料研究学报, 1990, 4(4): 348-351.
, , . PHASE TRANSITION OF VO_2 THIN FILMS PREPARED BY DIP-COATING TECHNIQUE[J]. Chin J Mater Res, 1990, 4(4): 348-351.

全文: PDF(347 KB)  
摘要: 本文以VO(i-OC_2H_5)_3为原料采用溶胶-凝胶浸渍法在三种不同基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理得到了VO_2薄膜。由于VO_2在67℃左右产生热诱导半导体-金属可逆相变,红外区域透过率在加热前后可变化45%,采用红外光谱及X 射线衍射法分析了VO_2薄膜的结构。
关键词 VO_2溶胶-凝胶法薄膜相变    
Abstract:Vanadium dioxide exhibits a thermally-induced reversiblesemiconductor-to-metal phase transition near 67℃.In the present work,VO_2 thin filmshave been prepared by the Sol-Gel dip-coating technique on monocrystalline Si(111),silica glass and soda-lime-silic
Key wordsVO_2    Sol-Gel thin film    phase transition
收稿日期: 1990-08-25     
基金资助:国家自然科学基金,2860381
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