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材料研究学报  1989, Vol. 3 Issue (2): 160-164    
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几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变
毛思宁;杨熙宏;陈坚;刘家瑞;高文玉;杨锋
北京大学;清华大学物理系;北京大学;北京大学;中国科学院物理研究所;中国科学院物理研究所;中国科学院物理研究所
THE ION BEAM INDUCED PHASE TRANSFORMATION IN UNLIMITED SUPPLY SYSTEMS OF METAL AND SILICON
MAO Sining YANG Xihong CHEN Jian LIU Jiarui GAO Wenyu YANG Feng (Beijing University) (Institute of Physics;Academia Sinica)
引用本文:

毛思宁;杨熙宏;陈坚;刘家瑞;高文玉;杨锋. 几种无限供应的金属/硅体系离子束混合相变[J]. 材料研究学报, 1989, 3(2): 160-164.
, , , , , . THE ION BEAM INDUCED PHASE TRANSFORMATION IN UNLIMITED SUPPLY SYSTEMS OF METAL AND SILICON[J]. Chin J Mater Res, 1989, 3(2): 160-164.

全文: PDF(443 KB)  
摘要: 研究了五种无限供应的Bilayer 膜金属/硅体系中(Ni/Si,Cu/Si,Nb/Si,Mo/Si,Ti/Si),因离子束注入引起的界面原子交混及相变过程。界面温度和注入离子剂量显著影响薄膜相变,在生成各种金属Si 化物及固溶体时,反应温度和生长激活能大大降低,相变动力学过程与热退火反应不尽相同,诱导离子和基体取向对成相生长也有影响。讨论了相应微观机理。
关键词 离子束混合金属/硅体系相变薄膜相变    
Abstract:Five metal-silicon systems (Ni/Si,Cu/Si,Ti/Si,Nb/Si,Mo/Si) were chosen for this experiment and the results in a verity of condi-tions were summarized.The phase transformation by ion beam induced isnon-equilibrium process.This process might change the comp
Key wordsion beam mixing    metal/silicon system    phase transformation    thin film transformation
收稿日期: 1989-04-25     
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