纳米ZnS:Cd的光致发光特性

材料研究学报

2001, Vol. 15

Issue (6): 634-638

论文

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纳米ZnS:Cd的光致发光特性

杨萍1;吕孟凯1; 许东1; 袁多荣1;周广军2

1.山东大学晶体材料国家重点实验室; 2.山东省产品质量监督检验所

引用本文:

杨萍; 吕孟凯; 许东; 袁多荣; 周广军 . 纳米ZnS:Cd的光致发光特性[J]. 材料研究学报, 2001, 15(6): 634-638.

全文: PDF(386 KB)

摘要: 研究了Cd{2+}掺杂的ZnS纳米晶的光致发光特性, 结果表明,当Cd的掺杂量较低时(≤5%, 摩尔分数),ZnS纳米晶试样的荧光强度显著提高, Cd的掺杂量为0.5%时,掺杂试样的相对荧光强度约为未掺杂试样的5倍, 发射光谱明显宽化.随着Cd含量的提高, 试样的激发光谱(350nm→488nm)和发射光谱(由蓝→绿→红)红移, 当Cd含量≥5%时,其发射光谱与CdS纳米晶一致, 但荧光强度比CdS纳米晶高. XRD分析显示,掺杂试样的晶格结构由Cd的掺杂量决定.

关键词 ：光致发光, 纳米晶, ZnS, Cd{2+}-掺杂

Key words：

收稿日期: 1900-01-01

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