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2001年, 第15卷, 第6期 刊出日期:2001-12-25
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纳米ZnS:Cd的光致发光特性
杨萍; 吕孟凯; 许东; 袁多荣; 周广军
材料研究学报. 2001, 15 (6): 634-638.
研究了Cd{2+}掺杂的ZnS纳米晶的光致发光特性, 结果表明,当Cd的掺杂量较低时(≤5%, 摩尔分数),ZnS纳米晶试样的荧光强度显著提高, Cd的掺杂量为0.5%时,掺杂试样的相对荧光强度约为未掺杂试样的5倍, 发射光谱明显宽化.随着Cd含量的提高, 试样的激发光谱(350nm→488nm)和发射光谱(由蓝→绿→红)红移, 当Cd含量≥5%时,其发射光谱与CdS纳米晶一致, 但荧光强度比CdS纳米晶高. XRD分析显示,掺杂试样的晶格结构由Cd的掺杂量决定.
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