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材料研究学报  1995, Vol. 9 Issue (5): 438-441    
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掺V_2O_5对SnO_2气敏性能的影响
邓希敏;郭进;黄津梨
广西师范大学
EFFECT OF DOPING V_2O_5 ON GAS SENSITIVE CHARACTER OF SnO_2
DENG Ximin; GUO Jin; HUANG Jinli (Guangxi Normal University)
引用本文:

邓希敏;郭进;黄津梨. 掺V_2O_5对SnO_2气敏性能的影响[J]. 材料研究学报, 1995, 9(5): 438-441.
, , . EFFECT OF DOPING V_2O_5 ON GAS SENSITIVE CHARACTER OF SnO_2[J]. Chin J Mater Res, 1995, 9(5): 438-441.

全文: PDF(299 KB)  
摘要: 研究了修V2O5对SnO2元件电阻和稳定性的影响.掺杂后,稳定性提高但灵敏度下降;掺杂量<0.56w.%肘,电阻降低;掺杂量>0.56wt%肘,电阻上升.利用量子化学分析机理.结果表明:由于V5+的掺入,提高了SnO2晶胞前线轨道及材料的稳定性;在掺杂量少时,由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加,使材料的电阻下降,在掺杂量多时,因电子输运轨道受阻导致电阻增大.
关键词 SnO_2掺杂电学行为前线轨道    
Abstract:Effect of doping V2O5 on resistance and stability of SnO2 element is studied. The experiment results show that the resistance drops when the V2O5 content is fewer than 0.56w.%, and the resistance rises when the V2O5 content is more than 0.56w.% and the st
Key words SnO_2 doping electric behaviour Front Molecular Orbital
收稿日期: 1995-10-25     
基金资助:国家自然科学基金
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