|
2008年, 第22卷, 第3期 刊出日期:2008-06-25
|
上一期
下一期 |
|
|
|
一种光聚合共混树脂抗原子氧侵蚀的机理
杨光; 黄鹏程
材料研究学报. 2008, 22 (3): 251-256.
采用双酚A型环氧树脂E--44与有机硅环氧树脂ES-06的共混改性树脂体系
进行紫外光辐照聚合, 制备了光聚合含硅聚合物;
使用原子氧效应地面模拟设备对光聚合含硅聚合物进行原子氧侵蚀试验,
比较了试验前后试样的质量、表面形貌和成分的变化, 研究了原子氧的侵蚀机理.
结果表明, 在紫外光辐照固化后改性树脂的表面形成一层含C的氧化硅(SiOx)膜,
经原子氧暴露试验后进一步氧化转变为富含SiO2的保护膜,
具有较好的耐原子氧性能. 原子氧对含硅共混物的侵蚀是多种效应协同作用的结果,
以发生化学反应为主, 通过提氢、插入和置换等机理产生含碳挥发性物质和H2O等,
导致聚合物的质量损失. 生成的硅氧化物留在聚合物表面,
能有效地阻止原子氧对基底聚合物材料的进一步侵蚀.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
Ti6Al4V合金的低温超塑性拉伸变形行为
赵文娟; 丁桦; 曹富荣; 赵敬伟; 张亚玲
材料研究学报. 2008, 22 (3): 269-273.
在700℃-850℃的温度范围内对Ti-6%Al-4%V(质量分数)合金板材进行超塑性拉伸试验,研究了应变速率为3×10-4 -5×10-3s-1条件下的拉伸变形行为. 结果表明:Ti6Al4V合金在空气中表现出良好的低温超塑性变形能力. 在800℃初始应变速率ε=5×10-4s-1条件下,延伸率达到536%. 在较低的700℃下变形(ε=5×10-4s-1), 延伸率仍然超过了300%. 在整个变形温度区间内,应变速率敏感性指数m均为0.3左右, 最大值为0.63.在850℃变形激活能与晶界自扩散激活能十分相近,表明晶界扩散控制的晶界滑动是超塑性变形的主要机制.在700-750℃, 变形激活能远大于晶界自扩散激活能, 位错运动是激活能升高的原因.在800℃变形的激活能介于两者之间, 表明随着温度的降低变形机制逐渐发生改变.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
自反应喷射成形制备TiC--TiB2复合陶瓷
刘宏伟; 张龙; 王建江; 杜心康
材料研究学报. 2008, 22 (3): 274-278.
提出了一种新的低成本自反应喷射成形技术, 制备出TiC--TiB$_{2}$复合陶瓷材料坯件,
研究了材料的组织结构对性能的影响. 结果表明, 反应喷射成形坯件的组织具有快速凝固特征,主要由浅灰色连续基体相TiC0.3N0.7、尺寸为100 nm-1 um呈柱状分布的黑色颗粒TiB2、
少量分布于基体相边界的白色相组织TiO2以及少量黑色的不规则孔洞四部分组成.喷射沉积坯件的孔隙率为2.3%, 显微硬度为2029HV0.2,断裂韧性为6.0 MPa×m1/2.向喷射体系中添加20%(质量分数)的Al--Ni合金使材料的孔隙率下降到1.7%,断裂韧性提高到7.7 MPa×m1/2, 显微硬度下降到1259HV0.2.由于自反应喷射成形坯件的晶粒细小, 其断裂韧性高于反应烧结与自蔓延高温合成方法制备的TiC-TiB2复合陶瓷材料.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
聚硼硅氮烷先驱体的合成及其目标陶瓷SiBNC的性能
唐云; 王军; 李效东; 李文华; 王浩; 谢征芳; 商遥
材料研究学报. 2008, 22 (3): 291-296.
以三氯化硼、甲基氢二氯硅烷、六甲基二硅氮烷为起始原料,通过共缩合路径合成了SiBNC陶瓷先驱体-聚硼硅氮烷(PBSZ),将PBSZ在氨气气氛中高温热解可得SiBNC陶瓷. 对先驱体及其陶瓷产物的组成、结构和高温结晶性能进行了研究. 结果表明, 先驱体的骨架结构为-Si-N-B-,其中, B、N以硼氮六环形式存在. 1000℃的陶瓷产率为61%, 陶瓷中碳含量低于0.5%,具有较好的热稳定性能, 能够在1700℃以上保持非晶, 在1850℃部分结晶,主要由Si3N4、BN和少量SiC组成, 1500℃-1850℃间质量损失约为10%.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
Fe/Si薄膜中硅化物的形成和氧化
张晋敏; 谢泉; 梁艳; 曾武贤
材料研究学报. 2008, 22 (3): 297-302.
用磁控溅射方法制备Fe/Si薄膜, 采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化. 结果表明:未退火的Fe/Si薄膜界面清晰, 873 K退火后, 界面附近Fe、Si原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相Fe1+xSi形成, 而1073 K退火后形成中间相FeSi,当温度增加至1273 K后所有硅化物完全转变为富硅相FeSi$_{2}$, 即随退火温度的升高,Fe、Si原子间扩散增强, 从而形成不同化学计量比的Fe--Si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由Fe变为Si. 同时, 质子束RBS和XRD测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中, 薄膜有氧化现象, 随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发, 样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|
NZ2合金在不同介质中腐蚀后氧化膜的晶体结构
章海霞; 李中奎; 张建军; 郑欣; FRUCHART Daniel; HLIL El; Kébir; 孙军 ; 周廉
材料研究学报. 2008, 22 (3): 327-332.
通过分析NZ2合金在360℃、18.6 MPa含锂水和400℃、10.3 MPa蒸汽中腐蚀后氧化膜的晶体结构,研究了腐蚀过程中氧化膜晶体结构的转变及其对锆合金耐腐蚀性能的影响. 结果表明:NZ2合金腐蚀后氧化膜的结构以单斜氧化锆为主, 还有一定量畸变了的四方氧化锆.四方氧化锆主要由氧化膜内的压应力稳定. 随着腐蚀时间的延长,氧化膜与金属间的界面向前推进, 当氧化锆中的压应力不足以稳定四方相时,四方氧化锆转变为单斜氧化锆. 从氧化膜与金属间的界面到氧化膜的外表面,四方相的含量不断降低, 界面处的四方相含量最高. NZ2合金在360℃含锂水中腐蚀时,氧化膜内四方相向单斜相的转变速度比在400℃蒸汽中腐蚀时四方相向单斜相的转变速度低得多.四方相向单斜相的转变是决定锆合金抗腐蚀性能的主要因素, 四方相转变得越快,其含量越低, 腐蚀速率越高.
References |
Related Articles |
Metrics
|
|