材料研究学报  1998, Vol. 12 Issue (6): 655-658

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由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象

宋志棠;任巍;张良莹;姚熹

中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室;西安交通大学电子材料与器件研究所;西安交通大学电子材料与器件研究所;西安交通大学电子材料与器件研究所;西安交通大学电子材料与器件研究所

ON PINNING PHENOMENON OF PLT FERROELECTRIC THIN FILMS CAUSED BY EXCESS Pb

SONG Zhitang;REN Wei;ZHANG Liangying;YAO Xi(State Key Laboratory of innctional materials for Information; Shanghai institute ofMetallurpy; The Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050)(Electronic Materials Research Laborutory; Xi'an Jiaotong Universit

宋志棠;任巍;张良莹;姚熹. 由过量Pb引起的PLT铁电薄膜钉扎现象[J]. 材料研究学报, 1998, 12(6): 655-658.
, , , . ON PINNING PHENOMENON OF PLT FERROELECTRIC THIN FILMS CAUSED BY EXCESS Pb[J]. Chin J Mater Res, 1998, 12(6): 655-658.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(792 KB)   摘要: 采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜电子探针和Auger电子能谱分析证实了在薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析,导致缺陷能级上的陷阱电荷。在退极化场的作用下,陷阱电荷可聚集在畴壁钉扎电畴,造成电滞回线和C—V曲线异常 关键词 ： 铁电薄膜,  钉扎现象,  电滞回线,  C-V曲线     Abstract：PLT thin films with excess Ph was prepared by metallo-organic decomposition process.Electron probe microanalyzer (EPMA) and Auger electron spectroscopy (AES) depth profile composition analysis has revealed that there is excess Pb in PLT thin films and int Key words： ferroelectric thin film    pinning phenomenon    hysteresis loop    C-V curve 收稿日期: 1998-12-25      基金资助:国家自然科学基金!59582011 服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 宋志棠 任巍 张良莹 姚熹 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1998/V12/I6/655 1A.P.deAralljO,J.D.Cuchlaro, L.DMcMillan, M.C.Scott,J.F.Scott, Nature. 374(13), 627(199) 2宋志棠,任巍,张良莹,姚裹,功能材料,28(3),150(1997) 3D·Hennings, Mater·Res.Bull. 6(5), 329(1971) 4E.莱因斯,A.M.格拉斯,铁电体及其有关材料的原理和应用(北京,科学出版社,1989)P.122 5J.Lefevre,J.S.SPeck, R.W.Schwartz, D.Dimos S.J.Lockwood,J.Mater.Ifes. 11(8), 2076(1996) 6HuandS·B·Krunanidbi,J·Mater.Res.. 9(6), 1484(1994) 7Dimos, W.L.Warren, M.B.Sinclair, B.A.Tuttle, R.W.Schwartz,J.Appl.Phy 76(7), 4305(1994) 8Dimos, H.N.AI—ShareeflW.L.warren, M.B.Sinclair, B.A.Tuttle,J.Appl.Phy. 80(3), 1682(1996) [1] 周毅, 涂强, 米忠华. 制备方法对磷酸盐微晶玻璃结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 2023, 37(10): 739-746. [2] 代智华, 鲍育文, 张婧娇, 苏晓东, 章灵军. ITO/PZT-Ag2O/Pt铁电薄膜的光伏特性*[J]. 材料研究学报, 2013, 27(5): 544-548. [3] 杨平雄; 邓红梅; 褚君浩 . 非晶态铁电薄膜的铁电相转变[J]. 材料研究学报, 1999, 13(2): 221-224. [4] 包定华; 张良莹; 姚熹 . 择优取向的PbTiO3玻璃陶瓷薄膜的Sol-Gel制备及结构[J]. 材料研究学报, 1999, 13(1): 22-25. [5] 宋志棠;任巍;吴小清;张良莹;姚熹. 热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响[J]. 材料研究学报, 1997, 11(4): 363-368. [6] 宋世庚;谭辉;王学燕;符小荣;郑立荣;陶明德;林成鲁. PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质[J]. 材料研究学报, 1997, 11(4): 392-396. [7] 阎培渝;李龙土;张孝文. 工艺参数对Sol—Gel法制备的PLZT铁电薄膜结构和性能的影响[J]. 材料研究学报, 1995, 9(6): 535-538. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed