Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究

材料研究学报

1991, Vol. 5

Issue (2): 164-168

研究论文

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Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究

景俊海;孙青

西安电子科技大学物理系;西安市710071;西安电子科技大学

THE STUDY OF OPTIMUM PROCESS CONDITION OF Hg SENSITIZATION PHOTO-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SiO_2FILMS

JING Junhai SUN Qing (University of Electronics Science and Technology of Xi'an)

引用本文:

景俊海;孙青. Hg敏化光CVD SiO_2薄膜最佳工艺条件的研究[J]. 材料研究学报, 1991, 5(2): 164-168.
, . THE STUDY OF OPTIMUM PROCESS CONDITION OF Hg SENSITIZATION PHOTO-CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SiO_2FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1991, 5(2): 164-168.

全文: PDF(369 KB)

摘要: 本文叙述了Hg 敏化光化学气相淀积薄膜的方法,研究了制备SiO_2薄膜的最佳工艺条件。结果表明,当衬底温度约200℃,而淀积时间、反应室总压力和气体流量分别在30—50min、30—50Pa 和300—500 Sccm 范围内选取时,可得到最佳的薄膜。

关键词 ：低温, Hg敏化, 光—CVD, SiO_2薄膜

Abstract：This paper discussed the principle and method of Hg sensitizationphoto-chemical vapor deposition films,studied optimum process condition of fabricationSiO_2 films.The results show that optimum process conditions:substrate temperature isabout 200℃,depositi

Key words： low-temperature Hg sensitization photo-chemical vapor deposition SiO_2 films

收稿日期: 1991-04-25

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