直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术

材料研究学报

1997, Vol. 11

Issue (3): 240-244

研究论文

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直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术

胡运明;陈道伦;苏会和;王中光

中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所;中国科学院金属研究所

ELECTRON CHANNELING C0NTRAST TECHNIQUE IN SCANNING ELECTR0N MICR0SC0PY APPLIED T0 0BSERVATI0N 0F DISL0CATION STRUCTURE

HU Yunming; CHEN Daolun; SU Huihe; WANG Zhongguang(State Key Laboratory for Fatigue and Fracture of Materials; Institute of Metal Research)

引用本文:

胡运明;陈道伦;苏会和;王中光. 直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术[J]. 材料研究学报, 1997, 11(3): 240-244.
, , , . ELECTRON CHANNELING C0NTRAST TECHNIQUE IN SCANNING ELECTR0N MICR0SC0PY APPLIED T0 0BSERVATI0N 0F DISL0CATION STRUCTURE[J]. Chin J Mater Res, 1997, 11(3): 240-244.

全文: PDF(1967 KB)

摘要: 介绍了扫描电镜(SEM)电子通道衬度(ECC)技术.该技术可以很好地观察材料中位借结构,用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构,与常规的TEM方法观察结果基本一致.

关键词 ：扫描电镜, 电子通道衬度技术, 铜单晶体, 位错结构

Abstract：The dislocation structures formed in a copper single crystal under Cyclic straining were studiedby using an electron channeling contrast (ECC) in the scanning electron microscope (SEM). It was shownthat the SEM-ECC technique can well be used to investigat

Key words： scanning electron microscope electron channeling contrast technique copper single crystal dislocation structure

收稿日期: 1997-06-25

基金资助:国家自然科学基金!19392300－4

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