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材料研究学报  2000, Vol. 14 Issue (4): 445-448    
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B3+, Zn2+掺杂与SiO2薄膜驻极体的改性
黄志强; 徐政; 方明豹; 俞建群
同济大学
引用本文:

黄志强; 徐政; 方明豹; 俞建群 . B3+, Zn2+掺杂与SiO2薄膜驻极体的改性[J]. 材料研究学报, 2000, 14(4): 445-448.

全文: PDF(255 KB)  
摘要: 用粉体制备和高温熔凝工艺在n<111>型单晶硅基片上制备了非晶态SiO2--ZnO--B2O3复合膜驻极体, 实现对SiO2薄膜驻极体的改性. 恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermally stimulated discharged, TSD)实验表明, B3+、Zn2+的掺杂对SiO2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响: TSD放电电流峰稳定于t=238℃处, 峰位不随充电温度和充电电压变化; 正、负TSD电流谱关于温度轴对称. 用离子掺杂可以有效地改变SiO2薄膜驻极体内的微观网络结构, 影响其电荷贮存性能.
关键词 离子掺杂二氧化硅复合膜驻极体    
Key words
收稿日期: 1900-01-01     
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