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材料研究学报  1991, Vol. 5 Issue (6): 494-497    
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电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析
郭也平;邓薰南;张红青
上海科学技术大学技术大学化学系;上海科学技术大学;上海科学技术大学
POLAROGRAPHIC DETERMINATION OF Cd AND Te IN ELECTRODEPOSITED CdTe THIN FILMS
GUO Yeping DENG Xunnan ZHANG Hongqing (Shanghai University of Science and Technology)
引用本文:

郭也平;邓薰南;张红青. 电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析[J]. 材料研究学报, 1991, 5(6): 494-497.
, , . POLAROGRAPHIC DETERMINATION OF Cd AND Te IN ELECTRODEPOSITED CdTe THIN FILMS[J]. Chin J Mater Res, 1991, 5(6): 494-497.

全文: PDF(241 KB)  
摘要: 用极谱法分析电沉积CdTe 半导体薄膜中Cd 和Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得Cd 和Te 原子数之比几乎为1∶1的CdTe 薄膜。热处理能改变CdTe 薄膜的导电类型。
关键词 极谱分析CdTe 薄膜电沉积    
Abstract:The variations on composition of electrodeposited CdTe thin films withcathodic potentials,electrolyte temperatures and heat treatment temperatures were studiedby using polarographic method.The CdTe thin films where the Cd/Te atomic ratio equalunity was ob
Key wordspolarographic analysis    CdTe thin films    electrodeposit
收稿日期: 1991-12-25     
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