低压气相生长金刚石薄膜

材料研究学报

1990, Vol. 4

Issue (3): 269-272

研究论文

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低压气相生长金刚石薄膜

张保军;黄穗阳;苍风波;常静宜

中国建筑材料科学研究院;中国建筑材料科学研究院;中国建筑材料科学研究院;中国建筑材料科学研究院

GROWTH OF DIAMOND FILMS BY LOWER PRESSURE PHASE

ZHANG Baojun;HUANG Suiyang;CANG Fengbo;CHANG Jingyi(China Building Materials Academy)

引用本文:

张保军;黄穗阳;苍风波;常静宜. 低压气相生长金刚石薄膜[J]. 材料研究学报, 1990, 4(3): 269-272.
, , , . GROWTH OF DIAMOND FILMS BY LOWER PRESSURE PHASE[J]. Chin J Mater Res, 1990, 4(3): 269-272.

全文: PDF(859 KB)

摘要: 在低压下,以甲烷和氢的混和气为原料,应用热丝CVD 法,在Si 基片上生长出了金刚石薄膜。经X 射线衍射、激光刺曼光谱和扫描电子显微镜分析,生长产物呈多晶金刚石结构。探讨了金刚石薄膜的生长机理。

关键词 ：热丝化学气相沉积, 金刚石薄膜, 低压气相合成

Abstract：Vacuum evaporating device which was designed by us is used to grow dia-mond films on the substrate of silicon single crystals from a mixture of CH_4 and H_2 gasesat lower pressure by hot-filament CVD method.The results of X-ray diffraction,Ramanspectrum a

Key words： hot-filament chemical vapour deposition diamond film growth by lower pressure phase

收稿日期: 1990-06-25

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