材料研究学报  1989, Vol. 3 Issue (6): 549-552

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单晶硅的电化学钝化

杨军;邓薰南;许六妹

上海科学技术大学化学系;上海市201800;上海科学技术大学;上海科学技术大学

ELECTROCHEMICAL PASSIVATION OF MONOCRYSTAL SILICON

YANG Jun DENG Xunnan XU Liumei (Shanghai University of Science and Technology)

杨军;邓薰南;许六妹. 单晶硅的电化学钝化[J]. 材料研究学报, 1989, 3(6): 549-552.
, , . ELECTROCHEMICAL PASSIVATION OF MONOCRYSTAL SILICON[J]. Chin J Mater Res, 1989, 3(6): 549-552.

摘要 参考文献 相关文章 Metrics 全文: PDF(260 KB)   摘要: 常温下,用电化学氧化法在单晶硅表面形成SiO_2钝化膜,钝化液可为有机溶液或纯水,控制电压能调节钝化膜厚度。测试并比较了钝化膜的基本性能。 关键词 ： 单晶硅,  钝化,  钝化膜     Abstract：Thin film of silicon dixide can be grown on the surface of sili-con by electrochemical oxidation at room temperature.The electrolyte for pa-ssivation may be organic solution or pure water.The thickness of oxidicfilm is changed by controlling the voltage.T Key words： monocrystal silicon    passivation    passive film 收稿日期: 1989-12-25      服务 把本文推荐给朋友 加入引用管理器 E-mail Alert RSS 作者相关文章 杨军 邓薰南 许六妹 44.8K 链接本文: https://www.cjmr.org/CN/      或      https://www.cjmr.org/CN/Y1989/V3/I6/549 1 谢孟贤,刘国维.半导体工艺原理.北京:国防工业出版社,1980:上册235;下册,103 2 Madou M J.J Electrochem Soc,1982;129:2751 3 Guerrero E,Machek J.Thin Solid Films,1978;53:L1 4 Beynon J D.Solid-state Electronics,1973;16:309 5 Jain G C.J Electrochem Soc,1979;126:8 [1] 朱金阳, 谭成通, 暴飞虎, 许立宁. 一种新型含Al低Cr合金钢在模拟油田采出液环境下的CO2腐蚀行为[J]. 材料研究学报, 2020, 34(6): 443-451. [2] 商百慧,马元泰,孟美江,李瑛. 混凝土养护期间HRB400钢筋钝化行为研究[J]. 材料研究学报, 2019, 33(9): 659-665. [3] 单凤君; 刘常升; 王双红; 齐国超; 刘栋 . 热镀铝锌层铈掺杂硅烷钝化膜的性能[J]. 材料研究学报, 2008, 22(2): 197-200. [4] 白会平; 王福会 . 纳米化对K52高温合金电化学腐蚀行为的影响[J]. 材料研究学报, 2008, 22(2): 147-151. [5] 许淳淳; 吴小梅 . MoO42-抑制AISI304不锈钢局部腐蚀的机理[J]. 材料研究学报, 2002, 16(4): 354-360. Viewed Full text Abstract Cited   Shared      Discussed